EEPROM – הבדלי גרסאות

תוכן שנמחק תוכן שנוסף
←‏ראו גם: מה הקשר?
מ הגהה
שורה 4:
בתעשייה, ישנה מוסכמה המשמרת את מושג ה-EEPROM לזכרונות ניתנים לכתיבה הפועל ברמה של [[סיבית|סיביות]] (bitwise) ולא לזכרונות הבזק ניתנים לכתיבה הפועלים ברמה של בלוקים (blockwise).
 
ב-EEPROM ישפחות יותרצפוף "שטח מת" לעומת זיכרוןמזיכרון הבזק על פני אותו שטח אחסון, כיוון שבדרך כלל כלשכל תא מידע בEEPROM זקוק לשני [[טרנזיסטור|טרניזסטורים]] (לקריאה ולכתיבה), כאשר זיכרוןוזיכרון הבזק זקוק רק לאחד.