זיכרון הבזק – הבדלי גרסאות

תוכן שנמחק תוכן שנוסף
הבלים
מ הגהה
שורה 4:
להבדיל מזיכרון [[EEPROM]], מחיקה וכתיבה לזיכרון הבזק מתבצעת בבלוקים. משמעות הדבר היא שעל מנת לכתוב [[סיבית]] בודדת, יש לקרוא את כל הבלוק שמכיל את הסיבית לתוך [[זיכרון גישה אקראית]], לשנות את הסיבית שם, למחוק את תוכן הבלוק כולו בזיכרון ההבזק, ואז לכתוב את הבלוק כולו חזרה לזיכרון ההבזק. בגלל מגבלה זו לא ניתן להשתמש בזיכרון הבזק כתחליף לזיכרון גישה אקראית, אם כי השימוש בזיכרון הבזק כתחליף ל[[זיכרון לקריאה בלבד]] מקובל מאד.
 
גם באמצעי אכסוןאחסון כמו [[דיסק קשיח|דיסקים]] הגישה לתוכן מתבצעת בבלוקים, ולכן זיכרון הבזק מתאים מאד כאבן בניין ל"דיסק מצב מוצק" ([[Solid state drive]]) שאינם דיסקים כלל, אך מדמים כלפי המחשב התנהגות דמוית דיסק, עם ביצועים טובים יותר בכמה [[סדר גודל|סדרי גודל]].
 
טכנולוגיות כמו [[צילום דיגיטלי|מצלמות דיגטליות]], [[נגן MP3|נגני MP3]] ומכשירי [[Disk on key]] עושות שימוש נרחב בשבבי זיכרון הבזק, בעיקר בשל היתרון שבשמירת המידע ללא מקור חשמל, גודלו הקטן ביחס לנפח, וגם בזכות העמידות הגבוהה יחסית של השבב לטלטלות בניגוד ל[[דיסק קשיח]].