זיכרון הבזק – הבדלי גרסאות

תוכן שנמחק תוכן שנוסף
מ הגהה
הרחבה: ראו דף שיחה
שורה 2:
'''זיכרון הֶבְזֵק''' (Flash memory) הוא סוג זיכרון בלתי [[זיכרון נדיף|נדיף]] המאפשר כתיבה, מחיקה, וכתיבה חוזרת.
 
להבדיל מזיכרון [[EEPROM]], מחיקה וכתיבה לזיכרון הבזק מתבצעת בבלוקים בגדלים של עשרות [[בית (מחשב)|קילו-בית]] ולעיתים אף מאות. משמעות הדבר היא שעל מנת לכתוב [[סיבית]] בודדת, יש לקרוא את כל הבלוק שמכיל את הסיבית לתוך [[זיכרון גישה אקראית]], לשנות את הסיבית שם, למחוק את תוכן הבלוק כולו בזיכרון ההבזק, ואז לכתוב את הבלוק כולו חזרה לזיכרון ההבזק. בגלל מגבלה זו לא ניתן להשתמש בזיכרון הבזק כתחליף לזיכרון גישה אקראית, אם כי השימוש בזיכרון הבזק כתחליף ל[[זיכרון לקריאה בלבד]] מקובל מאד.
 
גם באמצעי אחסון כמו [[דיסק קשיח|דיסקים]] הגישה לתוכן מתבצעת בבלוקים, ולכן זיכרון הבזק מתאים מאד כאבן בניין ל"דיסק מצב מוצק" ([[Solid state drive]]) שאינם דיסקים כלל, אך מדמים כלפי המחשב התנהגות דמוית דיסק, עם ביצועים טובים יותר בכמה [[סדר גודל|סדרי גודל]].
שורה 16:
זיכרון הבזק מבוסס NAND הוביל לפיתוחם של מספר פורמטי מדיה נשלפת קטנים יותר, כמו [[MMC]], [[Secure Digital]] ו-[[Memory Stick]].
 
כיוםבשנת (2008) היה המוצר הפופולרי למשתמש הממוצע יהיה בעל נפח זיכרון של 32GB - 2GB, וזאת למרות שבשוק קיימיםהוצעו גם זיכרונות בנפח 64GBשל ואףעד יותר (128GB ו-256GB) אךשמחירם מחירםעדיין עדייןהיה יקר.
 
==ראו גם==