מוליך למחצה מאולח – הבדלי גרסאות

'''מוליכים למחצה מאולחים''' (אנגלית: '''Doped Semiconductors''') הם [[מוליך למחצה|מוליכים למחצה]] [[אילוח (מוליכים למחצה)|שמזוהמיםהנזרעים]] באטומים זרים בכוונה תחילה כאשר [[אטום|האטומים]] המזהמיםהמאלחים מסוגלים לספק לחומר עודתוספת [[אלקטרונים]] או [[חורים]]. דברהזרעה זהזו יוצריוצרת עודף של [[נושא מטען|נושאי מטען]] שלילי או חיובי בחומר.

[[מוליך למחצה]] מוגדר על -ידי ההתנהגות הייחודית של [[מוליכות חשמלית|המוליכות החשמלית]] שלו. [[מתכת|מתכות]] [[מוליך|מוליכות]] היטב בגלל שב[[אנרגיית פרמי|רמת הפרמי]] שלהםשלהן יש צפיפות גדולה יחסית של מצבים אנרגטיים פנויים אשר כל אלקטרון יכול לאייש, וכך אלקטרוניםהאלקטרונים יכולים לנוע בחופשיות בין רמות האנרגיה ללא איבוד אנרגיה גדול. מוליכות של מתכת קטנה כאשר עולה ה[[טמפרטורה]] מאחר שבשל העלאת הטמפרטורה, מתחזקות ההתנודותהתנודות התרמיות ב[[מבנה גבישי|גביש]] והן מפריעות לתנועה החופשית של האלקטרונים. [[מבודד]]ים לעומת זאת, מוליכים בצורה גרועה ביותר בגלל ההפרש הגדול בין האנרגיות בין הרמות האנרגטיות המאוכלסות על -ידי אלקטרונים לבין הרמות הפנויות המאפשרות תנועת אלקטרונים. [[מוליכות חשמלית|מוליכות]] של מבודד גדלה עם הטמפרטורה מכיוון שהאנרגיה אשר נמסרת לחומר כתוצאה מהחום מקדמת את האלקטרונים ומקטינה את הפרש האנרגיות לעבר הרמה בה מתאפשרת הולכה ([[פס הולכה]]).

במוליכים למחצה לעומת זאת, יש רמהרמת אמצעיתביניים של אלקטרונים מוליכים בהשוואה למתכות או מבודדים. הפרש האנרגיה שלהם קטן מספיק כדי שעליהשעלייה קטנה בטמפרטורה מקדמת מספיק אלקטרונים (דבר אשר מתבטא בזרם מדיד) מרמות האנרגיה הנמוכות ([[פס ערכיות]]) לעבר פס ההולכה. קידום זה יוצר [[חור (חשמל)|חורים]], או רמות בלתי מאוכלסות בפס הערכיות. בטמפרטורת החדר המוליכות של מוליך למחצה [[אילוח (מוליכים למחצה)|אינטרינזי]] היא נמוכה יחסית ל[[מוליך]]. ה[[מוליכות חשמלית|מוליכות]] גדלה מאוד בתהליך שנקרא [[אילוח (מוליכים למחצה)|זיהום]], אשר בו אלמנטים אחרים מוכנסים לגביש הטהור בכמויות קטנות מאד.