ממריסטור – הבדלי גרסאות

נוספו 205 בתים ,  לפני 8 שנים
הוספת מקור כסימוכין, ניסוחים, תיקון קישור, הסרת קישור לדף בית אישי
מ (←‏קישורים חיצוניים: הסרת קישור בעל איכות ירודה)
(הוספת מקור כסימוכין, ניסוחים, תיקון קישור, הסרת קישור לדף בית אישי)
'''ממריסטור נשלט שטף''':
 
<math>\ V = M(Q(t))I(t) </math> , כאשר <math>\ M </math> מוגדר להיותהוא משתנה המצב של הממריסטור לפי הקשר <math>\ M(Q)=\frac{d\Phi_B(Q)}{dQ} </math>
 
'''ממריסטור נשלט מטען''':
 
<math>\ I = W(\Phi_B(t))V(t) </math> , כאשר <math>\ W </math> מוגדר להיותהוא משתנה המצב של הממריסטור לפי הקשר <math>\ W(\Phi_B)=\frac{dQ(\Phi_B)}{d\Phi_B} </math>
 
== מאפיינים==
במונח ממריסטור השתמש לראשונה [[ברנרד וידרו]] בהקשר של [[רשת עצבית|רשתות עצביות]] ב-1960. [[לאון צ'ואה]] פרסם בשנת 1971 את המאמר שקיבע את המונח במשמעותו המוכרת כיום{{הערה|{{קישור כללי|הכותב=Leon O. Chua|כותרת=Memristor - The Missing Circuit Element|כתובת=http://ieeeghn.org/wiki/images/b/bd/Memristor_chua_article.pdf|תאריך=September 1971|מידע נוסף=Retrieved from IEEE Global History Network|שפה=אנגלית|פורמט=PDF}}}}. צ'ואה הציג את קיומו המשוער של רכיב נוסף על נגד, קבל וסליל, מטעמי סימטריה, וניתח את תכונותיו הצפויות ושימושיו האפשריים.
 
בשנת [[2008]] פורסםפירסמו מאמר שלחוקרים חברתמחברת [[HP]] בראשותו של סטן ויליאמס מאמר במגזין [[נייצ'ר]]{{הערה|{{קישור ובוכללי|הכותב=Dmitri תיארוB. החוקריםStrukov, בראשותוGregory שלS. סטןSnider, ויליאמסDuncan R. Stewart & R. Stanley Williams|כותרת=The missing memristor found|כתובת=http://www.nature.com/nature/journal/v453/n7191/full/nature06932.html|תאריך=1 May 2008|מידע נוסף=Nature 453|שפה=אנגלית}}}}, ובו טענו כי גילו את הרכיב החסר. המאמר תיאר כיצד התקן TiOxתחמוצת [[טיטניום]] שהם ייצרו, מגלה תכונות "ממריזטיביותממריסטיביות". נציגים של חברת HP ציינו שעד סוף 2013 ניתן לצפות להשקה של רכיב ממריסטור כהתקן בשיווק מסחרי. אולם הערכות עדכניות יותר של HP משנת 2013{{הערה|{{קישור כללי|הכותב=Chris Mellor|כותרת=HP 100TB Memristor drives by 2018 – if you're lucky, admits tech titan|כתובת=http://www.theregister.co.uk/2013/11/01/hp_memristor_2018|תאריך=1 Nov 2013|מידע נוסף=The Register|שפה=אנגלית|ציטוט=HP has warned El Reg not to get its hopes up too high after the tech titan's CTO Martin Fink suggested StoreServ arrays could be packed with 100TB Memristor drives come 2018}}}} לא צופות שימוש בטכנולוגיה זו לפני 2018.
 
בשנת 2012 פרסמו הפיזיקאים פאול מויפלס ורוהיט סוני מאמר{{הערה|{{קישור כללי|הכותב=P. Meuffels, R. Soni|כותרת=Fundamental Issues and Problems in the Realization of Memristors|כתובת=http://arxiv.org/abs/1207.7319|תאריך=July 2012|מידע נוסף=arXiv:1207.7319v1 [cond-mat.mes-hall]|שפה=אנגלית}}}} בו טענו כי הטכנולוגיה של HP אינה תואמת להגדרה של ממריסטור, ולמעשה ניתן לתארה כקבל כימי, הסובל מאובדן מידע לאורך זמן. כמו כן טענו כי המאפיינים של ממריסטור אידאלי סותרים עקרונות יסוד ב[[תרמודינמיקה]] ו[[תורת האינפורמציה]] ([[עקרון לנדאואר]]). במאמר אחר{{הערה|{{קישור כללי|הכותב=M. Di Ventra , Y. V. Pershin|כותרת=On the physical properties of memristive, memcapacitive and meminductive systems|כתובת=http://iopscience.iop.org/0957-4484/24/25/255201/|תאריך=May 2013|מידע נוסף=Nanotechnology, issue 25|שפה=אנגלית}}}} נטען כי תכונות הזיכרון של הממריסטורים שמומשו דומות לתופעות זיכרון חלשות בהתקנים קיימים (שאינן רצויות), וכן כי ממריסטור אידאלי (לו ניתן היה לממשו) אמור לסבול מאבדן מידע כתוצאה מרעשים ותנודות.
== קישורים חיצוניים ==
* [http://inst.cs.berkeley.edu/~ee129/sp09/handouts/TheMissingMemristorFound.pdfThepdf The missing memristor found]
* [http://webee.technion.ac.il/people/skva/memristor.htm רשימת רפרנסים ולינקים למאמרים ולאתרים העוסקים בממריסטור]
 
==הערות שוליים==