פרוסת סיליקון – הבדלי גרסאות
תוכן שנמחק תוכן שנוסף
←תכונות: תיקונים קטנים ועריכה קלה |
|||
שורה 1:
[[תמונה:ICC 2008 Poland Silicon Wafer 1 edit.png|שמאל|ממוזער|250px|פרוסת סיליקון שיוצרה ב[[אינטל]]]]
'''פרוסת סיליקון''' היא פרוסה של [[גביש]] יחיד של [[צורן]] בעל ניקיון גבוה. שימושן העיקרי של פרוסות הסיליקון הוא כבסיס לייצור [[שבב]]ים והתקני [[מוליך למחצה]] בתעשיית ה[[מיקרו-אלקטרוניקה]] . פרוסת הסיליקון נחתכת מתוך חד-גביש גלילי מוארך (המכונה ingot) של צורן המגודל באופן מלאכותי. בדרך כלל מוסיפים להתך הסיליקון לפני הגידול ריכוזים נמוכים מאוד של [[אילוח (מוליכים למחצה)|מאלחים]] (מסממים) כגון [[בורון]], [[ארסן]] ו[[זרחן]], על מנת להקנות לסיליקון תכונות חשמליות לפי הצורך. פרוסות סיליקון ללא מאלחים, המכונות סיליקון אינטרינזי, הן בעלות התנגדות חשמלית גבוהה והן נדירות יותר ויקרות יותר.
== תכונות ==
שורה 6:
[[תמונה:Wafer_2_Zoll_bis_8_Zoll_2.jpg|שמאל|ממוזער|250px|פרוסת סיליקון בגודל 2,4,6 ו-8 [[אינץ']]]]
על מנת שיהיה ניתן ליצור על פרוסת הסיליקון התקנים אלקטרוניים איכותיים, חייבת הפרוסה לעמוד בדרישות איכות גבוהות במיוחד. לדוגמה: ריכוז האטומים הזרים (שאינם אטומי סיליקון) חייב להיות נמוך
==ייצור==
| |||