הבדלים בין גרסאות בדף "זיכרון בלתי נדיף"

הרחבה, עריכה
(הרחבה, עריכה)
(הרחבה, עריכה)
על הזיכרון הבלתי נדיף נמנים כמה קבוצות:{{ש}}
 
[[דיסק קשיח]], [[תקליטון|דיסק נשלף]], [[תקליטור]],- [[זיכרון לקריאה בלבד]] –ROM לסוגיו השונים, [[EPROM]] [[זיכרון הבזק|וזיכרונות הבזק]].
 
'''דיסק קשיח''' (Hard Disk), הוא אמצעי אחסון נתונים מגנטי מכני ב[[מחשב]]. דיסק קשיח יכול להכיל בדרך כלל כמות גדולה של [[נתונים]] לעומת זיכרונות אחרים, אך פעולתו איטית. הכונן הקשיח הוא התקן המאפשר אחסנה [[אמינות|אמינה]] של נתונים [[דיגיטלי]]ם בנפח גדול וב[[זמן גישה]] קצר יחסית להתקני זיכרון מכניים אחרים. בהשוואה להתקני זיכרון אחרים באותה הקיבולת, הכונן הקשיח זול משמעותית, אולם [[זמן גישה|זמן הגישה]] לנתונים בכונן ארוך בהשוואה לזיכרון הפנימי (RAM) - דיסק קשיח מכני איטי פי 100,000 מהזיכרון הפנימי.
 
[[תמונה:Floppy disk 2009 G1.jpg|ממוזער|תקליטוני ½3 אינץ', ¼5 אינץ', ו-8 אינץ']]
'''תקליטון''' '''(דיסק נשלף- Floppy disk)''' הוא אמצעי לאחסון נתונים וגיבוי [[קובץ|קבצים]], על דיסקה שטוחה מחומר [[פלסטיק|פלסטי]] המצופה בשכבה של חומר הניתן ל[[מגנט|מגנוט]] בדומה ל[[סרט מגנטי]] עגול ושטוח. התקליטון ידוע יותר בשמו ה[[אנגלית|אנגלי]], '''דיסקט (diskette)''', אשר זכה לתפוצה רבה יותר מאשר המקבילה ה[[עברית]].
 
'''תקליטור''' הוא אמצעי לאחסון נתונים הפועל ב[[טכנולוגיה]] [[אופטיקה|אופטית]]. תקליטור הוא דיסק [[פלסטיק|פלסטי]] עגול בקוטר של עד 12 ס"מ עם חור במרכזו, שמצופה בשכבה דקיקה של [[אלומיניום]] כדי שיוכל להחזיר את האותות לקרן ה[[לייזר]] שקוראת אותו. הנתונים מאוחסנים בצורת בורות (pits) ומישורים (lands) לאורך פס דקיק בצורת [[ספירלה]] הנמשך מן המרכז ועד לשולי התקליטור. הנתונים מוטבעים (בייצור המוני), או נצרבים (באמצעות [[צורב]] ביתי), על גבי התקליטור בשפה [[בסיס בינארי|בינארית]], כלומר 1 ו-0, כאשר הסימון 1 מיוצג על ידי שינוי בין בור ומישור והסימון 0 מיוצג על ידי חוסר שינוי (קידוד NRZI).
'''EPROM''' (מאנגלית: זיכרון לקריאה בלבד הניתן למחיקה ותכנות, erasable programmable read-only memory), הוא זיכרון בלתי נדיף לקריאה בלבד לאחר שתוכנת ולמחיקה באמצעות חשיפה לאור אולטרה סגול. ברוב שבבי ה-EPROM מותקן חלון שקוף המאפשר חשיפת שבב הצורן, לקרינה אולטרה-סגולה לצורך מחיקה.
 
'''זיכרון הֶבְזֵק''' (Flash memory) הוא סוג זיכרון בלתי [[זיכרון נדיף|נדיף]] המאפשר כתיבה, מחיקה, וכתיבה חוזרת.
אחסן נייד (Disk On Key) וגם כרטיסי זיכרון, נמנים עם קבוצת הזיכרון הבלתי נדיף. הזיכרון בהתקנים הנ"ל מבוססים על זיכרונות הבזק ובנויים מתאים אשר המידע המאוחסן בהם נשמר ללא תלות ב[[מתח]] החשמלי.
להבדיל מזיכרון [[EEPROM]], מחיקה וכתיבה לזיכרון הבזק מתבצעת בבלוקים בגדלים של עשרות [[בית (מחשב)|קילו-בית]] ולעתים אף מאות. משמעות הדבר היא שעל מנת לכתוב [[סיבית]] בודדת, יש לקרוא את כל הבלוק שמכיל את הסיבית לתוך [[זיכרון גישה אקראית]], לשנות את הסיבית שם, למחוק את תוכן הבלוק כולו בזיכרון ההבזק, ואז לכתוב את הבלוק כולו חזרה לזיכרון ההבזק. בגלל מגבלה זו לא ניתן להשתמש בזיכרון הבזק כתחליף לזיכרון גישה אקראית, אם כי השימוש בזיכרון הבזק כתחליף ל[[זיכרון לקריאה בלבד]] מקובל מאד.
[[File:USB flash drive.jpg|thumb|100x100px]]
אחסן נייד (Disk On Key) וגם כרטיסי זיכרון, נמנים עם קבוצת הזיכרון הבלתי נדיף. הזיכרון בהתקנים הנ"ל מבוססים על זיכרונות הבזק ובנויים מתאים אשר המידע המאוחסן בהם נשמר ללא תלות ב[[מתח]] החשמלי.
 
[[File:USB flash drive.jpg|thumb|100x100px200x200px]]
זיכרון ההבזק (Flash memory) מבוסס על תאים הבנויים מ[[טרנזיסטור]] [[MOSFET]]- בדרך כלל מסוג nMOS הנמצאים [[מערך|במערכים]]. לכל טרנזיסטור (תא) יש כתובת המוגדרהמוגדרת ע"פ ה[[טור]] והשורה.
שלושה הפעולות הבסיסיות של התא הן: [[כתיבה]], [[קריאה]] ומחיקה. מנגנון הפעולה בין כתיבה ומחיקה בטרנזיסטור של זיכרון הבזק מבוצע על-ידי שינוי מצב של שכבה במבנה השער (Gate) הנקראת "שער צף" Floting Gate (נקראת כך בשל העובדה ששכבה זו אינה מהודקת). השכבה נטענת באלקטרונים ופורקת אותם במצביבמצב הכתיבה והמחיקההמחיקה ובכך משנה את מצבהתכונות השכבההפיזיקליות גםשל לאחרהחומר בהשכבה הצפה, שינוי זה לא משתנה עם ניתוק התאמקור ממתחהמתח חשמלי דבר המאפשר את הפעולה של הזיכרון הבלתי נדיף.
 
 
עיקרון פעולה סיבית בתא של זיכרון הבזק: