הבדלים בין גרסאות בדף "זיכרון בלתי נדיף"

תמונה
מ (←‏ראו גם: קטגוריה)
(תמונה)
 
'''זיכרון הֶבְזֵק''' (Flash memory) הוא סוג זיכרון בלתי [[זיכרון נדיף|נדיף]] המאפשר כתיבה, מחיקה, וכתיבה חוזרת.
[[קובץ:USB flash drive.jpg|thumb|200px150px|התקן זיכרון הבזק]]
להבדיל מזיכרון [[EEPROM]], מחיקה וכתיבה לזיכרון הבזק מתבצעת בבלוקים בגדלים של עשרות [[בית (מחשב)|קילו-בית]] ולעתים אף מאות. משמעות הדבר היא שעל מנת לכתוב [[סיבית]] בודדת, יש לקרוא את כל הבלוק שמכיל את הסיבית לתוך [[זיכרון גישה אקראית]], לשנות את הסיבית שם, למחוק את תוכן הבלוק כולו בזיכרון ההבזק, ואז לכתוב את הבלוק כולו חזרה לזיכרון ההבזק. בגלל מגבלה זו לא ניתן להשתמש בזיכרון הבזק כתחליף לזיכרון גישה אקראית, אם כי השימוש בזיכרון הבזק כתחליף ל[[זיכרון לקריאה בלבד]] מקובל מאד.
אחסן נייד (Disk On Key) וגם כרטיסי זיכרון מבוססים על זיכרונות הבזק ובנויים מתאים אשר המידע המאוחסן בהם נשמר ללא תלות ב[[מתח]] החשמלי.
[[קובץ:USB flash drive.jpg|thumb|200px|התקן זיכרון הבזק]]
===מנגנון פעולת זיכרון הבזק===
זיכרון ההבזק מבוסס על תאים הבנויים מ[[טרנזיסטור]] [[MOSFET]]- בדרך כלל מסוג nMOS הנמצאים [[מערך|במערכים]]. לכל טרנזיסטור (תא) יש כתובת המוגדרת ע"פ ה[[טור]] והשורה.