הבדלים בין גרסאות בדף "זיכרון בלתי נדיף"

מ
מ (←‏מנגנון פעולת זיכרון הבזק: קישורים פנימיים)
שלושה הפעולות הבסיסיות של התא הן: [[כתיבה]], [[קריאה]] ומחיקה. מנגנון הפעולה בין כתיבה ומחיקה בטרנזיסטור של זיכרון הבזק מבוצע על-ידי שינוי מצב של שכבה במבנה השער (Gate) הנקראת "שער צף" Floting Gate (נקראת כך בשל העובדה ששכבה זו אינה מהודקת). השכבה נטענת באלקטרונים ופורקת אותם במצב המחיקה ובכך משנה את התכונות הפיזיקליות של ה[[חומר]] בהשכבה הצפה, שינוי זה לא משתנה עם ניתוק מקור המתח חשמלי דבר המאפשר את הפעולה של הזיכרון הבלתי נדיף. זיכרון ההבזק מאחסן מידע ב[[מערך (מבנה נתונים)|מערך]] של טרנזיסטורים הנקראים "תאים". ישנם תאי Single Level שבהם ניתן לאחסן [[סיבית]] אחת, ותאי Multi Level שבהם ניתן לאחסן כמה סיביות.{{ש}}
'''עיקרון פעולת סיבית בתא של זיכרון הבזק Single Level:'''{{ש}}
בתהליך הכתיבה הפעלת ממתח גבוה בשער בשילוב ממתח גבוה במקור (Source) יביא ליצירת תעלה בין המקור לשפך (Drain) וליצירת אלקטרונים חמים אשר בשל שדה חשמלי גבוה בין השער לתעלה גורם לאלקטרונים לעבור [[מנהור קוונטי|מנהור]] לתוך השכבה הצפה ולשנות את מצבה האלקטרו-סטטי של שכבה זו היות והיא טעונה שלילית בשל האלקטרונים הכלואים בה. המטענים השליליים הכלואים בשכבה הצפה לא מאפשרים לפתוח את התעלה בין המקור לשפך במתח הסף הרגיל המאלץ על שער הטרנזיסטור (מתח סף הוא המתח הפותח את התעלה בטרנזיסטור) דבר שלא מאפשר למתג את הטרנזיסטור במתח זה.
בתהליך הקריאה מפעילים מתח סף בשער בשלוב מתח רגיל במקור, במידה והתעלה תפתח ותתבצע הולכת מטען בין המקור לשפך סימן שאין מטען כלוא בשכבה הצפה, כלומר התא "מחוק", במידה ואין הולכה בין המקור לשפך באילוץ מתח הסף על השער (התעלה סגורה ואין מיתוג) סימן שיש [[מטען]] כלוא בשכבת הצפה –כלומר "התא כתוב", תהליך זה מהווה את הסיבית של 1 או 0 [[לוגיקה|לוגיים]]. תהליך המחיקה מבוצע באותו האופן של הכתיבה רק בממתחים הפוכים לכתיבה כך שהמטענים שעברו מנהור ונכלאו בשכבת השער הצפה יעברו מנהור לכיוון ההפוך, בחזרה למצע ובכך השכבה תחזור למצבה הבסיסי.{{ש}}
'''עיקרון פעולת זיכרון הבזק Multi Level:'''{{ש}}