תא פוטו-וולטאי – הבדלי גרסאות

[[תמונהקובץ:Solar cell.png|שמאל|ממוזער|250px|תא פוטו-וולטאי]]

# חד גביש ב[[בשיטת|שיטת צ'וֹחְרָלְסְקִי]] (Czochralski) - הסיליקון גדל בתור גביש יחיד גדול. לאחר מכן, פורסים את הגביש לפרוסות דקיקות. שיטה זו היא היקרה ביותר אך התא הפוטו-וולטאי שנוצר בשיטה זו הוא בעל ה[[נצילות]] הגדולה ביותר.

תאים סולאריים הפועלים על עיקרון פוטון מעורר אלקטרון מסוגלים לנצל עד 31% מאנרגיית השמש, למרות שבפועל הנצילות לרוב מגיעה רק עד 25%. הטכנולוגיה המבטיחה ביותר כיום להגדלת ניצולת השמש היא על ידי החדרת אילוחים לננו-חלקיקים ויצירת מצב קוונטי המשחרר שני אלקטרונים בכל פגיעת פוטון. היעילות התיאורטיתהתאורטית של מערכת כזו היא כ-50%.{{הערה|קוונטים במימד הננומטרי [http://www.hayadan.org.il/nanometric-quantom-dot-150712/ אתר הידען].}}

[[תמונהקובץ:Mafate Marla solar panel dsc00633.jpg|ממוזער|250px|שמאל|מערך של תאים פוטו-וולטאים]]

ביולי 2008 עברה החלטת ממשלה בדבר עידוד הקמת תחנות פוטו-וולטאיות בישראל, וכן תקנות המקלות על הליך אישור התקנת לוחות סולאריים בטכנולוגיה פוטו-וולטאית על גגות בתים. ‏‏בשנתבשנת [[2009]] פורסם תעריף לתחנות בינוניות מבוססות תא-פוטו-וולטאי ובתחילת 2011 פורסם תעריף לתחנות כח גדולות בטכנולוגיה זו. פרסום התעריף האיץ את תהליך הקמת תחנות כוח פרטיות מבוססות טכנולוגיה זו, ותחנת כח בינונית בהספק של כ-5 מגוו"ט כבר הוקמה בקיבוץ [[קטורה]] שב[[הערבה|ערבה]] ומחוברת לחשמל החל משנת [[2011]].{{הערה|{{TheMarker1|אבי בר-אלי|רישיון ראשון לייצור חשמל סולארי הוענק לקיבוץ קטורה|news/1.1520467|11 באוקטובר 2011}}.}}