מעבד – הבדלי גרסאות

תוכן שנמחק תוכן שנוסף
←‏תהליך יצור המעבד: עדכנתי את התוכן בנוגע לטכנולוגיית הטרנזיסטורים של אינטל, היא כבר מייצרת טרנזיסטורים בגודל 22 ננו מטר ועוד מעט היא תייצר...
תגיות: עריכה ממכשיר נייד עריכה דרך האתר הנייד
תיקון ערך לא עדכני
שורה 83:
 
עובי ההדפסה של קווי המתאר של מוליכי המעבד קטן משנה לשנה, על מנת שיהיה אפשר לחסוך ב[[הספק]], להעלות את מהירות השעון של המעבד ולבנות מעבדים מורכבים יותר על ידי הגדלת מספר הרכיבים או לחלופין להגדיל את מספר המעבדים מפרוסה אחת, דבר המביא לרווחים גדולים יותר. באמצע 2004 רוחב תעלת הטרנזיסטורים של המעבד עמד במעבדי אינטל החדשים על 90nm ([[מטר|ננומטר]]). ביולי [[2005]] יוצרו מעבדי אינטל בטכנולוגיה של עד 65nm, חברת [[AMD]] התחילה לעבור לטכנולוגיה זו בסוף [[2006]]. בתחילת שנת 2008 החלה "[[אינטל]]" לייצר בטכנולוגיית 45nm ובאמצע 2008 גם AMD החלה באותה שיטת יצור. בשנת 2010 חברת Intel החלה לשווק מעבדים שיוצרו בטכנולוגיית 32nm.
בשנים אלו אינטל עובדת עם טכנולוגיית 2214 nm וכרגעועובדים עובדיםעל בארה"ב על פיתוח טכנולוגיית 14קטנות nmיותר.
 
== חברות המייצרות מעבדים ==