צורן דו-חמצני – הבדלי גרסאות
תוכן שנמחק תוכן שנוסף
מ ←בטבע: קישור פנימי |
AutoIKhitron (שיחה | תרומות) clean up באמצעות AWB |
||
שורה 14:
*'''[[נקודת רתיחה]]''': C°{{כ}}2230
* '''[[מקדם דיאלקטרי#מקדם דיאלקטרי יחסי|מקדם דיאלקטרי יחסי]]''': 3.9
*
* '''אפיניות אלקטרונית''': 1.3 אלקטרון וולט{{הערה|{{cite journal |last=Bersch |first=Eric et al. |title=Band offsets of ultrathin high-k oxide films with Si |url=http://journals.aps.org/prb/abstract/10.1103/PhysRevB.78.085114 |journal=Phys. Rev. B |volume=78 |pages=085114 |doi=10.1103/PhysRevB.78.085114}}}}
*'''מבנה בסיסי''': [[טטרהדרון]]
שורה 26:
צורות חיים רבות מכילות מבני סיליקה ([[סיליקה ביוגנית]]) כולל:
*[[מיקרואורגניזם|
*צמחים כדוגמת ה[[שבטבט]] שלהם [[תא]]ים צורניים המצויים ב[[אפידרמיס]]. אלה גורמים לשחיקת ה[[שן|שיניים]] של [[בעלי חיים]] המנסים לאכול מהם ועל ידי כך הם מגינים על הצמח.
*בעלי חיים כדוגמת ה[[ספוגיים]] ממחלקת ה[[זכוכנים]] (Hexactinellida).
שורה 45:
*לציפוי התחמוצת הנוצר באופן טבעי כקרום על גבי צורן יש תועלת עצומה במיקרואלקטרוניקה. זהו מבודד מעולה, בעל יציבות כימית גבוהה, והוא מסוגל להגן על הצורן, לאחסן מטענים, לחסום זרמים, ואפילו לפעול כנתיב מבוקר על מנת לאפשר לזרמים חלשים לזרום דרך המתקן. עם זאת, קצב יצירת התחמוצת באופן טבעי בטמפרטורת החדר הוא איטי מאוד ולכן השיטה המסורתית לייצר שכבות תחמוצת אלו על גבי הצורן היא חימום של צורן בכבשנים של טמפרטורות גבוהות בסביבה עשירה בחמצן.
*סיליקה היא המרכיב העיקרי ב[[סיב אופטי|סיבים אופטיים]].
*סיליקה בצורת Silicon Dioxide Ph. Eur. 6x. משמש לתרופות [[הומאופתיה|
*סיליקה משמשת למיצוי [[DNA]] ו-[[RNA]] בשל יכולתו לקשור את חומצות הגרעין.
*סיליקה מוספת לחומרים רפואיים נוגדי קצף כדוגמה התרופה כנגד גזים [[סימתיקון]].
|