הבדלים בין גרסאות בדף "זיכרון בלתי נדיף"

נוספו 336 בתים ,  לפני 4 שנים
מ
עדכון, קטגוריה
מ (עדכון, קטגוריה)
'''זיכרון הֶבְזֵק''' (Flash memory) הוא סוג זיכרון בלתי [[זיכרון נדיף|נדיף]] המאפשר כתיבה, מחיקה, וכתיבה חוזרת. להבדיל מזיכרון [[EEPROM]], מחיקה וכתיבה לזיכרון הבזק מתבצעת בבלוקים בגדלים של עשרות [[בית (מחשב)|קילו-בית]] ולעתים אף מאות. משמעות הדבר היא שעל מנת לכתוב [[סיבית]] בודדת, יש לקרוא את כל הבלוק שמכיל את הסיבית לתוך [[זיכרון גישה אקראית]], לשנות את הסיבית שם, למחוק את תוכן הבלוק כולו בזיכרון ההבזק, ואז לכתוב את הבלוק כולו חזרה לזיכרון ההבזק. בגלל מגבלה זו לא ניתן להשתמש בזיכרון הבזק כתחליף לזיכרון גישה אקראית, אם כי השימוש בזיכרון הבזק כתחליף ל[[זיכרון לקריאה בלבד]] מקובל מאד.
אחסן נייד (Disk On Key) וגם כרטיסי זיכרון מבוססים על זיכרונות הבזק ובנויים מתאים אשר המידע המאוחסן בהם נשמר ללא תלות ב[[מתח חשמלי|מתח החשמלי]].
 
'''3D XPoint''' התקן זיכרון בלתי נדיף בגדלים בכפולות של 128 גיגה בית, ההתקן נועד במדרג הזיכרון להוות מדרגת ביניים בין זיכרון ה-RAM וזיכרון האחסון, ואף להחליף את זיכרון ה-RAM.
 
==מנגנון פעולת זיכרון הבזק==
 
[[קטגוריה:התקני זיכרון אלקטרוניים]]
[[קטגוריה:זיכרון מחשב]]
[[קטגוריה: חומרה]]
[[קטגוריה: אלקטרוניקה]]
3,411

עריכות