ממריסטור – הבדלי גרסאות

הוסרו 2 בתים ,  לפני 5 שנים
מ
מ (תיקון שגיאות ניקיון לפי שגיאות ניקיון: אפשרויות קובץ שגויות (דיון))
'''ממריסטור נשלט שטף''':
 
<math>\ V = M(Q(t))I(t) </math> , כאשר <math>\ M </math> הוא משתנה המצב של הממריסטור לפי הקשר <math>\ M(Q)=\frac{d\Phi_B(Q)}{dQ} </math>
 
'''ממריסטור נשלט מטען''':
 
<math>\ I = W(\Phi_B(t))V(t) </math> , כאשר <math>\ W </math> הוא משתנה המצב של הממריסטור לפי הקשר <math>\ W(\Phi_B)=\frac{dQ(\Phi_B)}{d\Phi_B} </math>
 
== מאפיינים==
 
ממריסטור אמור להיות רכיב בעל [[התנגדות חשמלית ]] משתנה, המתבטאת בלולאת חֶשֶׁל ([[היסטרזיס]]) כפולה ב[[אפיין מתח־זרם|עקומת המתח־זרם]] שלו. ניתן לשנות את התנגדותו על ידי הזרמת [[זרם חשמלי]] גדול בממריסטור נשלט מטען (או הפעלת ממתח גדול בממריסטור נשלט שטף), בעוד שעבור זרמים קטנים מספיק, התנגדותו תהיה קבועה, ונוכל למדוד אותה באמצעים המקובלים. הסיבה לכך היא שהזרמת הזרם (או הפעלת המתח) אמורה לשנות את משתנה המצב של הממריסטור ולכן גם את התנגדותו האפקטיבית, אולם מתחת ל"זרמי סף" ו"מתחי סף" לא יחול שינוי במצבו של הממריסטור. הדבר דומה לתופעה ידועה ממכניקה בה כוח הפועל כנגד [[כוח חיכוך]] סטטי, אינו גורם לתאוצה או שינוי כלשהו, אם הוא אינו גדול מחיכוך סטטי זה.
 
בשל תכונות אלו, ניתן לחשוב על ממריסטור כעל רכיב [[מיתוג]] אפשרי. על ידי הזרמת זרם רב ולזמן מספיק בכיוון אחד של ההתקן, נוכל לקבוע את התנגדותו לערך אחד, ועל ידי הזרמת זרם בכיוון השני - לערך אחר. פעולת קריאת המידע, תוכל להתבצע ללא פריקה או טעינה של קבל כמקובל כיום בחלק מן הזיכרונות האלקטרוניים, אלא על ידי הזרמת זרם הנמוך מזרם הסף, ומדידת המתח על ההתקן.