זיכרון הבזק – הבדלי גרסאות
תוכן שנמחק תוכן שנוסף
מ ←מנגנון פעולת זיכרון הבזק: תקלדה |
|||
שורה 7:
טכנולוגיות כמו [[צילום דיגיטלי|מצלמות דיגטליות]], [[נגן MP3|נגני MP3]] ומכשירי [[Disk on key]] עושות שימוש נרחב בשבבי זיכרון הבזק, בעיקר בשל היתרון שבשמירת המידע ללא מקור חשמל, גודלו הקטן ביחס לנפח, וגם בזכות העמידות הגבוהה יחסית של השבב לטלטלות בניגוד ל[[דיסק קשיח]].
זיכרון הבזק הראשון היה מסוג [[NOR]], שזמני הכתיבה והמחיקה שלו ארוכים. למרות זאת, יש לו ממשק כתובת/מידע (זיכרון) מלא, המאפשר גישה אקראית לכל מקום. כמו כן, זיכרון NOR יכול לעבור 10,000 עד 100,000 מחזורי מחיקה במהלך חייו. מאוחר יותר פותח זיכרון ה-[[NAND לוגי|NAND]], בעל מהירות מחיקה וכתיבה גבוהה יותר, צפיפות גדולה יותר, ומחיר נמוך משל ה-NOR ביחס לנפח.
==מנגנון פעולת זיכרון הבזק==
| |||