ממריסטור – הבדלי גרסאות

נוספו 6 בתים ,  לפני 5 שנים
מ
בוט החלפות: זיכרון
מ (הסבת תג ref לתבנית:הערה (תג) (דיון))
מ (בוט החלפות: זיכרון)
'''מֶמריסטוֹר''' (מ[[אנגלית]]: memristor, [[הלחם]] המילים "memory resistor" – "[[נגד|נַגָּד]] [[זכרוןזיכרון|זיכרון]]") הוא [[רכיב חשמלי]] פסיבי שהתנגדותו תלויה בכמות ה[[זרם חשמלי|זרם]] שעבר בו לפני כן. לעומת הרכיבים נגד, [[קבל]] ו[[סליל השראה|סליל]], שמימושים קרובים לאידאליים שלהם קיימים ונמצאים בשימוש נרחב בטכנולוגיה מזה עשרות שנים, המימוש המעשי של ממריסטור נדיר ועד [[2008]] הוא נחשב [[תאוריה|תאורטי]] גרידא. הממריסטור הוא [[מוליך למחצה]]. ממריסטור עשוי מחומר כלשהו העטוף בשתי פיסות של [[מתכת]] כלשהי.
 
תכונותיו התאורטיות של ממריסטור כוללות התנגדות התלויה בהיסטוריה של המתח והזרם בין הדקיו. לתכונה זו עשוי להיות שימוש בייצור התקני זיכרון דלי הספק, ולכן מתקיים מחקר תאורטי ויישומי נרחב במטרה לייצר ממריסטורים בטכנולוגית [[VLSI]]. מנגד, קיימת טענה כי ממריסטור אידאלי סותר עקרונות יסוד ב[[תרמודינמיקה]] בתנאי חוסר שיווי משקל.
במונח ממריסטור השתמש לראשונה [[ברנרד וידרו]] בהקשר של [[רשת עצבית|רשתות עצביות]] ב-1960. [[לאון צ'ואה]] פרסם ב-[[1971]] את המאמר שקיבע את המונח במשמעותו המוכרת כיום.{{הערה|{{קישור כללי|הכותב=Leon O. Chua|כותרת=Memristor - The Missing Circuit Element|כתובת=http://ieeeghn.org/wiki/images/b/bd/Memristor_chua_article.pdf|תאריך=September 1971|מידע נוסף=Retrieved from IEEE Global History Network|שפה=אנגלית}}}} צ'ואה הציג את קיומו המשוער של רכיב נוסף על נגד, קבל וסליל, מטעמי סימטריה, וניתח את תכונותיו הצפויות ושימושיו האפשריים.
 
ב-2008 פירסמו חוקרים מחברת [[HP]], בראשותו של סטן ויליאמס, מאמר במגזין [[נייצ'ר]],{{הערה|{{קישור כללי|הכותב=Dmitri B. Strukov, Gregory S. Snider, Duncan R. Stewart & R. Stanley Williams|כותרת=The missing memristor found|כתובת=http://www.nature.com/nature/journal/v453/n7191/full/nature06932.html|תאריך=1 May 2008|מידע נוסף=Nature 453|שפה=אנגלית}}}} בו טענו כי גילו את הרכיב החסר. המאמר תיאר כיצד התקן תחמוצת [[טיטניום]] שהם ייצרו, מגלה תכונות "ממריסטיביות". נציגים של חברת HP ציינו שעד סוף 2013 ניתן לצפות להשקה של רכיב ממריסטור כהתקן בשיווק מסחרי. אולם הערכות עדכניות יותר של HP מ-[[2013]]{{הערה|{{קישור כללי|הכותב=Chris Mellor|כותרת=HP 100TB Memristor drives by 2018 – if you're lucky, admits tech titan|כתובת=http://www.theregister.co.uk/2013/11/01/hp_memristor_2018|תאריך=1 Nov 2013|מידע נוסף=The Register|שפה=אנגלית|ציטוט=HP has warned El Reg not to get its hopes up too high after the tech titan's CTO Martin Fink suggested StoreServ arrays could be packed with 100TB Memristor drives come 2018}}}} לא צופות שימוש בטכנולוגיה זו לפני 2018. בין שימושיו האפשריים של הממריסטור נמצאים [[תא זכרוןזיכרון בינארי|תאי זכרוןזיכרון]] {{אנ|Memory cell (binary)}}, מעגלים חשמליים בתחום [[תדר רדיו]] (RF components), מעגלים ניורומורפיים המחקים את פעולת ה[[מוח]] האנושי וביצוע תהליכי [[לוגיקה]].{{הערה|{{קישור כללי|כתובת=http://webee.technion.ac.il/people/skva/Nanoarch%202016%20-%20Rotem%20&%20Shahar%20Final.pdf|הכותב=|כותרת=מאמר מדעי|אתר=|תאריך=}}}}
 
ב-[[2012]] פרסמו הפיזיקאים פאול מויפלס ורוהיט סוני מאמר{{הערה|{{קישור כללי|הכותב=P. Meuffels, R. Soni|כותרת=Fundamental Issues and Problems in the Realization of Memristors|כתובת=http://arxiv.org/abs/1207.7319|תאריך=July 2012|מידע נוסף=arXiv:1207.7319v1 [cond-mat.mes-hall]|שפה=אנגלית}}}} בו טענו כי הטכנולוגיה של HP אינה תואמת להגדרה של ממריסטור, ולמעשה ניתן לתארה כקבל כימי, הסובל מאובדן מידע לאורך זמן. כמו כן טענו כי המאפיינים של ממריסטור אידאלי סותרים עקרונות יסוד ב[[תרמודינמיקה]] ו[[תורת האינפורמציה]] ([[עקרון לנדאואר]]). במאמר אחר{{הערה|{{קישור כללי|הכותב=M. Di Ventra , Y. V. Pershin|כותרת=On the physical properties of memristive, memcapacitive and meminductive systems|כתובת=http://iopscience.iop.org/0957-4484/24/25/255201/|תאריך=May 2013|מידע נוסף=Nanotechnology, issue 25|שפה=אנגלית}}}} נטען כי תכונות הזיכרון של הממריסטורים שמומשו דומות לתופעות זיכרון חלשות בהתקנים קיימים (שאינן רצויות), וכן כי ממריסטור אידאלי (לו ניתן היה לממשו) אמור לסבול מאבדן מידע כתוצאה מרעשים ותנודות.