431,889
עריכות
הבדלים בין גרסאות בדף "ספקטרוסקופיית אלקטרוני אוז'ה"
מ
בוט החלפות: לעיתים
Matanyabot (שיחה | תרומות) מ (בוט החלפות: לעיתים) |
|||
|
היא אנרגיית הקליפה החיצונית. כיוון שאנרגיות האורביטלים הללו נקבעות לפי סוג היסוד, ניתן לקבוע את הרכב פני השטח של החומר.
פליטה של אלקטרון אוז'ה סבירה יותר ביסודות קלים מאשר בכבדים, כיוון שביסודות הכבדים האלקטרונים קשורים בצורה יותר חזקה ל[[גרעין האטום]]. לכן, השיטה רגישה יותר ליסודות קלים, ובניגוד לשימוש ב[[קרני X]], ניתן לגלות בבדיקה זו אף את היסוד [[ליתיום]]. מבחינה מעשית, ספקטרומטר אוז'ה יכול לגלות אלקטרונים החל מליתיום (3 = [[מספר אטומי|Z]]) ועד [[אורניום]] (92 = [[מספר אטומי|Z]]),
על מנת לבצע את הבדיקה בהצלחה יש להקפיד שתא הדגימה וה[[ספקטרוסקופ]] יהיו בתוך אזור [[ואקום]], כיוון שנוכחות של [[גז]] תגרום לספיגת ופיזור אלקטרוני אוז'ה. השפעה נוספת היא יצירת שכבת גז דקה על משטח הדגימה, דבר שיגרום לקריאה שגויה של התוצאות.
ישנם מספר סוגים של [[מיקרוסקופ אלקטרונים|מיקרוסקופי אלקטרונים]] שתוכננו על מנת לבצע ספקטרוסקופיית אוז'ה; מיקרוסקופ כזה מכונה מיקרוסקופ אוז'ה סורק (SAM) ויכול לספק [[תצלום|תצלומים]] [[מרחב (פיזיקה)|מרחב]]יים של פני השטח ב[[רזולוציה]] גבוהה. אחת הבעיות המשמעותיות שנתקלים בהן כאשר מבצעים בדיקת SAM היא הקושי ב[[מטען חשמלי|טעינת]] [[חומר]]ים שאינם [[מוליך|מוליכים]], דבר הגורם להגבלה של השיטה רק ל[[מתכות]] (במידה מסוימת). ניתן לפקח על הטעינה באמצעות שינוי מיקום הדגימה ביחס לקרן האלקטרונים, או באמצעות שימוש במכשיר היורה יוני [[ארגון]].
==ראו גם==
| |||