זיכרון הבזק – הבדלי גרסאות

זיכרון ההבזק הראשון פותח בשנת [[1984]] במעבדות חברת [[טושיבה]] [[יפן|היפנית]] והשימוש המסחרי הראשון בטכנולוגיה הוצג על ידי חברת [[אינטל]] האמריקאית בשנת [[1988]].

בשנת 2008 היה המוצר הפופולרי למשתמש הממוצע בעל נפח זיכרון של 32GB - 2GB, אף על פי שבשוק הוצעו גם זיכרונות בנפח של עד 256GB שמחירם עדיין היה יקר.

 

זיכרון הבזק הראשון היה מסוג [[NOR]], שזמני הכתיבה והמחיקה שלו ארוכים. למרות זאת, יש לו ממשק כתובת/מידע (זיכרון) מלא, המאפשר גישה אקראית לכל מקום. כמו כן, זיכרון NOR יכול לעבור 10,000 עד 100,000 מחזורי מחיקה במהלך חייו. מאוחר יותר פותח זיכרון ה-[[NAND לוגי|NAND]], בעל מהירות מחיקה וכתיבה גבוהה יותר, צפיפות גדולה יותר, ומחיר נמוך משל ה-NOR ביחס לנפח. ממשק הפלט/קלט שלו מאפשר רק גישה סדרתית למידע. נתונים אלה הופכים אותו מתאים להתקנים בעלי נפח אחסון גדול. זיכרון הבזק מבוסס NAND הוביל לפיתוחם של מספר פורמטי מדיה נשלפת קטנים יותר, כמו [[MMC]], [[Secure Digital]] ו-Memory Stick.