תא שלוש אלקטרודות – הבדלי גרסאות

חימצון-חיזור ==> חמצון-חיזור
מ (התאמה לכותרת העמוד)
(חימצון-חיזור ==> חמצון-חיזור)
 
== ניתוח חשמלי של התא ==
כדי לחשב את הזרם בתא יש להביא בחשבון את קצב התרחשות תגובות ה[[חימצוןחמצון-חיזור]] (וכ[[הלחם בסיסים|מילת הלחם]] "חימזור") על פני האלקטרודות:
אם המתח המסופק על ידי האלקטרודות הוא מסדר גודל של [[פוטנציאל חיזור|פוטנציאל החיזור]] של הצורון נושא המטען קצב החימצוןהחמצון-חיזור ייקבע על ידי הפרש המתחים, כלומר יציית ל[[משוואת נרנסט]].
במקרה בו המתח המסופק על ידי האלקטרודה מספיק כדי ליצור פעילות חימזורית לצורון נושא המטען, קצב החימזור ייקבע על פי הסתברות הצורון להתנגש [[התנגשות פוריה]] באלקטרודה, כלומר על פי ה[[קינטיקה כימית|קינטיקה]] של התגובה.
במקרים בהם המתח המסופק על ידי האלקטרודה רב אף יותר, הגורם המשפיע היחיד הוא קצב הגעת הצורונים נושאי המטען אל האלקטרודה. לתנועת מטענים ייתכנו שלושה גורמים: תנועה בהשפעת הפרש פוטנציאלים חשמלי - [[זרם מיגרציה]], תנועה בהשפעת עירבוב - [[קונבולוציה כימית]], ותנועה בהשפעת [[דיפוזיה]]. כאמור תנועה בהשפעת הפרש פוטנציאלים אינה מתרחשת בגלל המיסוך.