ויקיפדיה

RDRAM – הבדלי גרסאות

עיון אינטראקטיבי בהיסטוריה
→ העריכה הקודמתהעריכה הבאה ←
תוכן שנמחק תוכן שנוסף
חזותיקוד ויקי
Yonidebot (שיחה | תרומות)
271,876 עריכות
מ בוט החלפות: הוותיק;
Noam (שיחה | תרומות)
93 עריכות
אין תקציר עריכה
שורה 1:
{{לשכתב}}
 
'''RDRAM'''‏ - (Rambus DRAM''') הוא סוג מודרני של [[זכרון מחשב|זיכרון]] אשר פותח ויוצר על ידי חברת Rambus האמריקאית,. יצרנית ואשרהשבבים [[אינטל]] ניסתההייתה להחדירשותפה חשובה בניסיונות ההחדרה לשוק ביחדשל הטכנולוגיה, יחד עם הדור הראשון של סדרת ה[[מעבדימעבד|מעבדים]] ה[[פנטיום]] 4 הראשוניםמתוצרתה. סוגמודולי זהזכרון שלבטכנולוגיית זיכרוןה-RDRAM נקראנקראים גם '''RIMM:RIMM‏ (RDRAM Interface Memory Module''').
 
בניגוד לזכרונות ממשפחת ה-[[SDRAM]] אשר מסוגלים להעביר 64 bit של מידע בכל מחזור שעון, זיכרון זה מסוגל להעביר רק 16 bit. אך מנגד, בטגנולוגיית ה-RDRAM ניתן להכפיל את רוחב הפס ע"י שימוש בשני מודולים במקביל (כלומר, ע"י שזירה של פעולות קריאה\כתיבה מול שני מודולים). תדרי העבודה של זכרון זה נעו בין 600MHz לבין 1066Mhz, כאשר הדגמים שנמכרו היו בעיקר כאלה שפעלו בתדר של 800Mhz. תדר העבודה הגבוה נועד לפצות על רוחב הפס הצר ונתן לזכרון זה יתרון על פני זכרון ה-SDRAM.
זיכרון זה פועל החל ממהירות 600 MHz וכיום נמכר במהירויות של 800 MHz לפחות, דבר שהקנה לו יתרון משמעותי על פני זיכרון [[SDRAM]] הוותיק יותר אשר המהירות המקסימאלית אליה הגיע הייתה 133 MHz (לא לבלבל עם זיכרונות DDR SDRAM)
 
אל מול יתרונות אלה של מהירות וקצב העברת נתונים גבוהים, זיכרון זה סבל גם מחסרונות. בלוחות אשר תמכו בטכנולוגיה, היה הכרח למלא את כל חריצי הזכרון הקיימים על לוח האם, ולא להשאיר את חלקם ריקים. לדוגמא, אם על הלוח היו ארבעה חריצי זכרון והמשתמש היה מעוניין לנצל רק שניים מהם, עדיין הוא נאלץ למלא את שני החריצים הנותרים. אם לא היה ממלא אותם, המערכת לא הייתה מתפקדת. הסיבה לאילוץ היא שהלוח תוכנן ככה שהוא יעבוד מול כל החריצים הקיימים כך שמבחינה חשמלית כולם צריכים להיות מאוישים. לשם כך הומצא כרטיס מסוג C-RIMM: Continuity RIMM, שתפקידו הוא אך ורק לאייש את האפיקים הפנויים (מעין מחבר לסגירת מעגל חשמלי) ואין בו שום תוספת של נפח זכרון כלשהו. חסרון נוסף של טכנולוגייה זו הוא הצורך בזוגות של מודולים זהים - טכנולוגיית ה-RDRAM הסתמכה על קיום של זוגות של מודולים ולא היה ניתן להשתמש במודול בודד בפני עצמו.
להבדיל מזיכרון [[SDRAM]] אשר פועל באפיק 64 bit, זיכרון זה פועל באפיק 16 bit. אך מנגד, בפעולה מול רכיבי '''RDRAM''' ניתן להעביר נתונים גם בעליית הפולס של שעון המערכת וגם בירידתו, מה שלכאורה מכפיל את התדר.
אל מול יתרונות אלה של מהירות וקצב העברת נתונים גבוהים, זיכרון זה סובל משני חסרונות משמעותיים:
 
טכנולוגיית ה-RDRAM לא צברה פופולריות מכיוון שבין היתר היו לה עלויות גבוהות מאוד שנבעו מהתמלוגים שחברת Rambus גבתה עבור השימוש בה. הייצור של זכרונות ולוחות אם התומכים בטכנולוגיה זו פסק לאחר שטכנולוגיית ה-[[DDR SDRAM]] תפסה נתח שוק משמעותי והחליפה בהצלחה את טכנולוגיית ה-[[SDRAM]].
הראשון הוא הצורך למלא את כל אפיקי או ערוצי הזיכרון הקיימים על לוח האם. כלומר, נניח שישנם ארבעה אפיקי זיכרון בלוח האם והמשתמש מעוניין לנצל רק שניים מהם, עדיין הוא צריך למלא את שני האפיקים הנותרים אחרת הזיכרון לא יעבוד. הסיבה העומדת מאחורי כשל זה הוא שהמערכת עובדת מול כל האפיקים הקיימים כך שמבחינה חשמלית כולם צריכים להיות מאוישים. לשם כך הומצא כרטיס מסוג '''C-RIMM: Continuity RIMM''', שתפקידו הוא אך ורק לאייש את האפיקים הפנויים (מעין מחבר לסגירת מעגל חשמלי) ואין בו שום יכולות "זיכרונויות" כלשהן.
 
השני הוא העלות הגבוהה שהפכה אותו לפחות אטרקטיבי. כיום, כאשר קיימים רכיבי [[DDR SDRAM]] מהירים די הצורך ובעלויות זולות יותר, אין הצדקה לשימוש ברכיבי RDRAM.
שני חסרונות אלו הביאו את הקץ על חיי המדף של זיכרון זה, וכיום נדירים הם לוחות האם אשר תומכים בטכנולוגיה זו.
 
==ראו גם==
אוחזר מתוך "https://he.wikipedia.org/wiki/RDRAM"