הבדלים בין גרסאות בדף "ליטוגרפית קרן אלקטרונים"

אין תקציר עריכה
(החלפה (הן))
תגיות: עריכה ממכשיר נייד עריכה דרך האתר הנייד
'''ליטוגרפיה של קרן אלקטרונים''' ('''EBL''') היא שיטה בה סריקת קרן [[אלקטרון|אלקטרונים]] ממוקדת מייצרת צורות מותאמות אישית על גבי ציפוי רגיש לאלקטרונים הנקרא רזיסט (פולימר).<ref name="mccord">{{Cite book|title=SPIE Handbook of Microlithography, Micromachining and Microfabrication|last=McCord|first=M. A.|last2=M. J. Rooks|year=2000|chapter=2|chapter-url=http://www.cnf.cornell.edu/cnf_spietoc.html}}</ref> קרן האלקטרונים משנה את המסיסות של הרזיסט, ומאפשרת הסרה סלקטיבית של האזורים החשופים או הלא חשופים על ידי טבילה בממס (פיתוח). המטרה, כמו ב[[פוטוליתוגרפיה]], היא ליצור פיצ'רים קטנים מאוד אשר לאחר מכן ניתן לבצע העברת תצורה אל המצע, לעיתים קרובות על ידי איכול.
 
היתרון העיקרי של ליטוגרפית של קרן אלקטרונים הוא שהיא יכולה לצייר דפוסים מותאמים אישית (כתיבה ישירה) עם רזולוציה של מתחת ל-10 ננומטר. לצורה זו של ליטוגרפיה נטולת מסכה יש רזולוציה גבוהה ותפוקה נמוכה, המגבילה את השימוש בה לייצור מסכות, ייצור בכמויות גדולות של מוליכים למחצה, ו[[מחקר ופיתוח|ומחקר ופיתוח]] .
 
== המערכת ==