הבדלים בין גרסאות בדף "המכון למצב מוצק (הטכניון)"

אין תקציר עריכה
(הצלת 1 מקורות והוספת 0 לארכיון.) #IABot (v2.0.1)
 
==פעילות המחקר במכון==
פעילות המחקר במכון נחלקת למחקרים שהם בסיסיים בעיקרם, למחקרי גישוש יישומיים ולמחקרים הסובבים סביב יישום חומרים [[מוליך למחצה|מוליכים למחצה]] וייצור אבטיפוס של התקנים אלקטרוניים ו[[אלקטרואופטיקה|אלקטרואופטיים]]. מעבדות השירות תומכות במחקר על ידי מתן שירותים לחוקרי הטכניון ולמשתמשי חוץ, תוך ניצול הציוד הייחודי הקיים במכון: מעבדת פני שטח, מעבדת השתלת [[יון|יונים]] ומעבדת [[קרני רנטגן]].
 
===מחקר בסיסי===
* חקירת [[רקומבינציה (אלקטרונים)|רקומבינציה]] של [[אקסיטון|אקסיטונים]] ופלאסמת אלקטרונים-חורים ב[[מוליך למחצה|מוליכים למחצה]] מסוג III-V ו-II-VI
* חקר תכונות של [[נקודה קוונטית|נקודות קוונטיות]], בורות קוונטיים וסריגים הבנויים משכבות עוקבות של GaAs/AlGaAs/InGaAs ומערכות המבוססות על מצעים של InP ושכבות של InAlAs, InAs או InGaAsP בשיטות של [[ספקטרוסקופיה]] אופטית, פוטומוליכות ומדידות תובלה חשמלית; הספקטרוסופיה האופטית כוללת את תחומי הפיקו וה[[פמטושנייה]], חקר הדינמיקה של נושאי מטען מעוררים ואקסיטונים, ספקטרוסקופיה בתחום ה[[תת-אדום]] הבינוני של מעברים בין פסים ובין תת-פסים, [[פיזור ראמאן]], ספקטרוסקופיית ODMR וספקטרוסקופיה בשדה מגנטי.
* בעיות של [[סוליטון|סוליטונים]] בחומרים רפרקטוריים
* תובלה ורקומבינציה ב[[מוליך למחצה|מוליכים למחצה]] אמורפיים
* פיזור ראמאן רזונטיבי ב[[פולימר]]ים מוליכים, במוליכים למחצה ומבנים קוונטיים ממוליכים למחצה
* חקר מצבים מעוררים אופטית וחקר התקנים אופטו-אלקטרוניים בפולימרים מוליכים
* מחקר תכונות שריג של מוליכים יוניים וגבישים מעורבים וחקירת מעבר סדר אי-סדר במוליכים למחצה בעזרת פיזור ראמאן
* חקירת פגמים ב[[גביש]]ים בעקבות השתלת יונים והרפייתם
* חקירת תכונות חשמליות ואופטיות של פולימרים מוליכים
* שימוש בספקטרומטרית מסה של יונים משניים (SIMS), [[ספקטרוסקופיית אלקטרוני אוז'ה]] ו-[[XPS]] לחקר כימוסורפצייה ו[[קטליזה]] הטרוגנית
* יצירה, בדיקה ומחקר של שכבות [[יהלום]] דקות
 
===מחקר יישומי===
* שימוש בהשתלת יונים והרפיית נזקי הקרינה ליצירת מבנים חדשים מוליכים למחצה
* השתלת יונים ביהלומים וחקירת השינויים בתכונותיהם האופטיות והחשמליות
* הכנת שכבות דקות דמויות יהלום על ידי [[שיקוע]] [[פחמן]] מאלומות יונים; הכנת שכבות יהלום על ידי פירוק מולקולות [[הידרוקרבון|הידרוקרבונריות]] על ידי [[פילמנט]] חם לצורכי ציפוי
* הכנת שכבות דקות של מוליכים למחצה בשיטות גידול אפיטקסיאלי מה[[פאזה (חומר)|פאזה]] הגזית, אפיון תכונותיהם, בניית [[לייזר]]ים והתקנים אופטו אלקטרוניים אחרים המתבססים עליהם
* פיתוח ובניית אבטיפוסים של התקנים אלקטרואופטיים המתבססים על Si ובעיקר על גבישים מרוכבים מהקבוצות III-V ו-II-VI. חקר גלאים לתת-אדום המבוססים על מעברים בין תת-פסים בבורות ונקודות קוונטיות במוליכים למחצה וכאלה המבוססים על HgCdTe.