הבדלים בין גרסאות בדף "המכון למצב מוצק (הטכניון)"

אין תקציר עריכה
 
פעילות המחקר במכון ניתנת לחלוקה למחקרים שהם בסיסיים בעיקרם, למחקרי גישוש יישומיים ולמחקרים הסובבים סביב יישום חומרים [[מוליך למחצה|מוליכים למחצה]] וייצור אבטיפוס של התקנים אלקטרוניים ואלקטרואופטיים. מעבדות השירות תומכות במחקר על ידי מתן שירותים לחוקרי הטכניון ולמשתמשי חוץ תוך ניצול הציוד הייחודי הקיים במכון: מעבדת [[פני שטח]], מעבדת השתלת יונים ומעבדת [[קרני רנטגן]].
 
===מחקר בסיסי===
חקירת רקומבינציה של אקסיטונים ופלאסמת אלקטרונים-חורים במוליכים למחצה מסוג III-V ו - II-VI; חקר תכונות של נקודות קוונטיות, בורות קוונטיים ועל סריגים הבנויים משכבות עוקבות של GaAs/AlGaAs/InGaAs ומערכות המבוססות על מצעים של InP ושכבות של InAlAs, InAs או InGaAsPבשיטות של ספקטרוסקופיה אופטית, פוטומוליכות ומדידות תובלה חשמלית; הספקטרוסופיה האופטית כוללת את תחומי הפיקו והפמטו שניה, חקר הדינמיקה של נושאי מטען מעוררים ואקסיטונים, ספקטרוסקופיה בתחום האינפרא אדום הבינוני של מעברים בין פסים ובין תת-פסים, פזור ראמאן, ספקטרוסקופית ODMR וספקטרוסקופיה בשדה מגנטי. כמו כן נחקרות בעיות של סוליטונים בחומרים רפרקטוריים; תובלה ורקומבינציה במוליכים למחצה אמורפיים; פיזור ראמאן רזונטיבי בפולימרים מוליכים, במוליכים למחצה ומבנים קוונטיים ממוליכים למחצה; חקר מצביםן מעוררים אופטית וחקר התקנים אופטו-אלקטרוניים בפולימרים מוליכים; מחקר תכונות שריג של מוליכים יוניים וגבישים מעורבים וחקירת מעבר סדר אי-סדר במוליכים למחצה בעזרת פיזור ראמאן; חקירת פגמים בגבישים בעקבות השתלת יונים והרפייתם; חקירת תכונות חשמליות ואופטיות של פולימרים מוליכים; שימוש בסקפטרוסקופיה Augur, SIMS ן-XPS לחקר כימוסורפצייה וקטליזה הטרוגנית; יצירה, בדיקה ומחקר של שכבות יהלום דקות.
 
===מחקר יישומי===
שימוש בהשתלת יונים והרפיית נזקי הקרינה ליצירת מבנים חדשים מוליכים למחצה; השתלת יונים ביהלומים וחקירת השינויים בתכונותיהם האופטיות והחשמליות; הכנת שכבות דקות דמויות יהלום על ידי שיקוע פחמן מאלומות יונים; הכנת שכבות יהלום על ידי פירוק מולקולות הידרוקרבונריות על ידי פילמנט חם לצורכי ציפוי; הכנת שכבות דקות של מוליכים למחצה בשיטות גידול אפיטקסיאלי מהפאזה הגזית, אפיון תכונותיהם, בניית לייזרים והתקנים אופטו אלקטרוניים אחרים המתבססים עליהם; פיתוח ובניית אבטיפוסים של התקנים אלקטרואופטיים המתבססים על Si ובעיקר על גבישים מרוכבים מהקבוצות III-V ו - II-VI. חקר גלאים לאינפרא-אדום המבוססים על מעברים בין תת-פסים בבורות ונקודות קוונטיות במוליכים למחצה וכאלה המבוססים על HgCdTe.
 
==קישורים חיצוניים==
33

עריכות