הבדלים בין גרסאות בדף "המכון למצב מוצק (הטכניון)"

מ
אינפרא->תת
מ
מ (אינפרא->תת)
===מחקר בסיסי===
* חקירת [[רקומבינציה (אלקטרונים)|רקומבינציה]] של [[אקסיטון|אקסיטונים]] ופלאסמת אלקטרונים-חורים ב[[מוליך למחצה|מוליכים למחצה]] מסוג III-V ו-II-VI
* חקר תכונות של [[נקודה קוונטית|נקודות קוונטיות]], בורות קוונטיים וסריגים הבנויים משכבות עוקבות של GaAs/AlGaAs/InGaAs ומערכות המבוססות על מצעים של InP ושכבות של InAlAs, InAs או InGaAsP בשיטות של [[ספקטרוסקופיה]] אופטית, פוטומוליכות ומדידות תובלה חשמלית; הספקטרוסופיה האופטית כוללת את תחומי הפיקו וה[[פמטושנייה]], חקר הדינמיקה של נושאי מטען מעוררים ואקסיטונים, ספקטרוסקופיה בתחום ה[[אינפרא תת-אדום]] הבינוני של מעברים בין פסים ובין תת-פסים, [[פיזור ראמאן]], ספקטרוסקופיית ODMR וספקטרוסקופיה בשדה מגנטי.
* בעיות של [[סוליטון|סוליטונים]] בחומרים רפרקטוריים
* תובלה ורקומבינציה ב[[מוליך למחצה|מוליכים למחצה]] אמורפיים
* הכנת שכבות דקות דמויות יהלום על ידי [[שיקוע]] [[פחמן]] מאלומות יונים; הכנת שכבות יהלום על ידי פירוק מולקולות [[הידרוקרבון|הידרוקרבונריות]] על ידי [[פילמנט]] חם לצורכי ציפוי
* הכנת שכבות דקות של מוליכים למחצה בשיטות גידול אפיטקסיאלי מה[[פאזה (חומר)|פאזה]] הגזית, אפיון תכונותיהם, בניית [[לייזר]]ים והתקנים אופטו אלקטרוניים אחרים המתבססים עליהם
* פיתוח ובניית אבטיפוסים של התקנים אלקטרואופטיים המתבססים על Si ובעיקר על גבישים מרוכבים מהקבוצות III-V ו-II-VI. חקר גלאים לאינפראלתת-אדום המבוססים על מעברים בין תת-פסים בבורות ונקודות קוונטיות במוליכים למחצה וכאלה המבוססים על HgCdTe.
 
==קישורים חיצוניים==