פוטוליתוגרפיה – הבדלי גרסאות

'''פוטוליתוגרפיה''' היא טכנולגיית [[ננוליתוגרפיה]]טכנולגיה המשמשת בתעשיית ה[[אלקטרוניקה]], [[מיקרואלקטרוניקה]] והמיקרומכניקה להסרהלהדפסת שכבות מוליכים, חצאי מוליכים ומבודדים, על-ידי הסרה מבוקרת של חלקים ממצע, באופן שניתן לחזור עליועליה פעמים רבות בדומה לתהליך ה[[ליתוגרפיה]]. לצורך התהליך מוקרן אור דרך מסיכה על מצע רגיש לאור (פוטורזיסט) ובסדרה של תהליכים כימיים יוצרים את התבנית הרצויה על החומר שמתחת למצע. קיים דמיון בין התהליכים הכימיים בפוטוליתוגרפיה לאלו שמבוצעים ב[[תצריב]].

כיום בטכנולוגיה זו ניתן להגיע להדפסה של קווים בעובי של 32 [[ננומטר]]. בצורה זו ניתן לדחוס בתוך [[שבב]] (VLSI) מאות מיליוני [[טרנזיסטור|טרנזיסטורים]].

בתעשיית המיקרומכניקה, הפוטוליטוגרפיה משמשת לחיתוך צורני מרדיד מתכת שיטת ייצור הנקראת חיתוך כימי. בטכנולוגיה חיתוך כימי ניתן לקבל רדיד צורתי בדיוק של פחות מ-500 ננומטר ובכל צורה רצויה. התוצר בשיטה מאפשר חיתוך לכל עומק הרדיד או חיתוך חלקי שיוצר שקעים צורניים ברדיד בעומק רצוי. שילוב של שיטת היצור חיתוך צורני ושיקוע צורני מאפשרת שיטת יצור של מעטפות צורתיות של גופים תלת ממדיים.

'''דפוזיציה''' - Deposition: השמת שכבת החומר להדפסה ([[נחושת]], [[אלומיניום]], [[סיליקון]], וכו'). ישנן מספר טכנולוגיות ייצור לשלב זה, בין השאר כתלות בחומר. שתיים מהנפוצות הינן [[Chemical Vapor Deposition - CVD]] ו [[Physical Vapor Deposition - PVD]].

'''חשיפה ופיתוחאיכול''' - Etching: בשלב זה, חושפיםולאחר אתחשיפת הפוטורזיסט, ל[[תאורה]]מאכלים אליהאת הואהחומר רגיששנחשף (בד"כעתה [[UV]])מתחת דרךלפוטורזיסט מסכהשנחשף עליהבשלב מוטבעהקודם, מראשבתהליך הגאומטריהאיכול אותהרטוב ישאו להדפיס[[איכול על המצעיבש]].