צורן דו-חמצני – הבדלי גרסאות
תוכן שנמחק תוכן שנוסף
מ ←תכונות: הוספת 3 תכונות אלקטרוניות |
מ רפרנס + תוספת מינורית |
||
שורה 5:
*'''נוסחה''': SiO<sub>2</sub>
*'''[[מול|מסה מולרית]]''': 60 גרם/מול
*'''תצורה''': מוצק (כשהוא טהור) לבן או חסר צבע
*'''[[מספר CAS]]{{כ}}''': 14808-60-7
*'''[[צפיפות החומר]]''' 2.2 גר לסמ"ק
*'''[[מסיסות]]''': בלתי מסיס
* '''איכול''': באמצעות [[חומצה הידרופלואורית]] בלבד
*'''[[נקודת התכה]]''': C°{{כ}}1710
*'''[[נקודת רתיחה]]''': C°{{כ}}2230
* '''[[מקדם דיאלקטרי#מקדם דיאלקטרי יחסי|מקדם דיאלקטרי יחסי]]''': 3.9
* [[פער אסור|'''פער אסור''']]: 8.9 [[אלקטרון וולט]]
* '''אפיניות אלקטרונית''': 1.3 אלקטרון וולט<ref>{{cite journal |last=Bersch |first=Eric et al. |title=Band offsets of ultrathin high-k oxide films with Si |url=http://journals.aps.org/prb/abstract/10.1103/PhysRevB.78.085114 |journal=Phys. Rev. B |volume=78 |pages=085114 |doi=10.1103/PhysRevB.78.085114}}</ref>
*'''מבנה בסיסי''': [[טטרהדרון]]
*'''מבנה הגביש''': משתנה
*'''תרכובות קשורות''': חומצה צוֹרנית
==בטבע==
שורה 53 ⟵ 54:
צורן דו-חמצני נוצר כאשר צורן נחשף לחמצן (או אוויר). שכבה דקה מאוד (כ-10 [[אנגסטרם]]) הקרויה "תחמוצת טבעית" של צורן דו-חמצני נוצרת על פני השטח כשהצורן נחשף לאוויר. טמפרטורות גבוהות וסביבות עשירות בחמצן משמשות לגידול מבוקר של שכבות של צורן דו-חמצני על פני הצורן.
צורן דו-חמצני נתקף על ידי [[חומצה הידרופלואורית]] (HF). חומצה זו משמשת לסילוק או לטבוע תבניות בצורן הדו-חמצני בתעשיית המוליכים למחצה.
==הערות שוליים==
{{הערות שוליים}}
==מקורות==
| |||