גליום ארסניד – הבדלי גרסאות
תוכן שנמחק תוכן שנוסף
מ מינורי / הגדרת החומר כמוליך למחצה מורכב |
מ מינורי, הניסוח הקודם היה מטעה והיה נדמה שהמשמעות של ארסניד זה מוליך למחצה. |
||
שורה 1:
[[קובץ:Gallium-arsenide-unit-cell-3D-balls.png|שמאל|ממוזער|200px|[[תא יחידה]] של גליום ארסניד]]
'''גליום [[ארסניד]]''' ([[נוסחה כימית]]: '''GaAs''', לעתים נהגה בעברית כ"גאס") הוא
הגליום ארסניד הוא מוליך למחצה בעל [[פער אסור|פער אנרגיה]] ישיר, וזאת בניגוד לצורן ולגרמניום בעלי פער האנרגיה הלא-ישיר. תכונה זו מקנה לגליום ארסניד יתרונות במיוחד בהתקנים אלקטרואופטיים כגון [[לייזר|לייזרים]], [[דיודה פולטת אור|דיודות פולטות אור (LED)]], [[תא סולרי|תאים סולאריים]] ועוד. לגאליום ארסניד פער אנרגיה של 1.424 [[אלקטרון וולט]], הגבוה מזה של סיליקון, 1.12 אלקטרון וולט ושל גרמניום, 0.66 אלקטרון וולט.{{הערה| [http://www.ioffe.ru/SVA/NSM/Semicond/index.html מקור מקיף לפרמטרים של מוליכים למחצה]}} ניתן להנדס את פער האנרגיה של גליום ארסניד באמצעות סגסוג. לדוגמה ניתן להקטין את פער האנרגיה באמצעות סגסוג של [[אינדיום]], ולהגדיר את פער האנרגיה באמצעות סגסוג של [[אלומיניום]].
| |||