זיכרון בלתי נדיף – הבדלי גרסאות

אחסן נייד (Disk On Key) וגם כרטיסי זיכרון, נמנים עם קבוצת הזיכרון הבלתי נדיף. הזיכרון בהתקנים הנ"ל מבוססים על זיכרונות הבזק ובנויים מתאים אשר המידע המאוחסן בהם נשמר ללא תלות במתחב[[מתח]] החשמלי.

זיכרון ההבזק (Flash memory) מבוסס על תאים הבנויים מ[[טרנזיסטור]] [[MOSFET ( Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)]]- בדרך כלל מסוג (nMOS) הנמצאים [[מערך|במערכים]]. לכל טרנזיסטור יש כתובת המוגדר ע"פ ה[[טור]] והשורה.

שלושה הפעולות הבסיסיות של התא הן: [[כתיבה]], [[קריאה]] ומחיקה. מנגנון הפעולה בין כתיבה ומחיקה בטרנזיסטור של זיכרון הבזק מבוצע על-ידי שינוי מצב של שכבה במבנה השער (Gate) הנקראת "שער צף" Floting Gate (נקראת כך בשל העובדה ששכבה זו אינה מהודקת). השכבה נטענת באלקטרונים ופורקת אותם במצבי הכתיבה והמחיקה ובכך משנה את מצב השכבה גם לאחר ניתוק התא ממתח חשמלי.