קבל MOS – הבדלי גרסאות
תוכן שנמחק תוכן שנוסף
תיקון שגיאה |
|||
שורה 43:
===מחסור (Depletion)===
עבור מוליך למחצה מסוג P, אם מתח השער הוא חיובי יותר ממתח יישור הפסים, אזי הפסים בקרבת פני השטח של המל"מ יתכופפו כלפי
ניתן לראות תהליך זה גם באופן הבא: במתחי שער חיוביים (ביחס למתח יישור הפסים), מצטבר מטען חיובי על השער. בקבל קונבנציונלי המצאות של מטען חיובי על לוח אחד תשרה מטען שלילי על הלוח השני. בקבל MOS עם מל"מ מסוג P, בצד של המל"מ יש בעיקר נושאי מטען חיוביים. המטען החיובי על המתכת "דוחה" את המטענים החופשיים החיוביים במל"מ (ה[[חור (חשמל)|חורים]]) במקום "למשוך" מטענים שליליים. באופן פשטני '''זהו ההבדל העיקרי בין קבל קונבנציונלי לקבל MOS'''. האזור בו חסרים חורים נקרא '''אזור המחסור'''. הירידה בריכוז החורים בקרבת פני השטח של המל"מ משמעה שבמצב זה אטומי ה[[אילוח (מוליכים למחצה)|מאלחים]] המיוננים (אקספטורים בעלי מטען שלילי עבור מל"מ P) מהווים '''מטען מרחבי''' שלילי ונייח (וזאת בניגוד לחורים שהם נושאי מטען ניידים).
| |||