תא פוטו-וולטאי – הבדלי גרסאות
תוכן שנמחק תוכן שנוסף
תיקוני הגהה |
|||
שורה 17:
# חד גביש ב[[בשיטת|שיטת צ'וֹחְרָלְסְקִי]] (Czochralski) - הסיליקון גדל בתור גביש יחיד גדול. לאחר מכן, פורסים את הגביש לפרוסות דקיקות. שיטה זו היא היקרה ביותר אך התא הפוטו-וולטאי שנוצר בשיטה זו הוא בעל ה[[נצילות]] הגדולה ביותר.
# שיטת הפולי-סיליקון - בשיטה זו מגדלים שכבה של הרבה תת-גבישים כלומר חומר [[רב-גביש]] שבו כל תת-גביש מתפקד כתא. השיטה זולה משיטת צוחרלסקי, והיא נפוצה יחסית אך נצילות התאים נמוכה יותר.
# שיטת המריחה - בשיטה זאת מורחים את הסיליקון על תבנית זכוכית. זוהי הזולה ביותר מבין השיטות
==אופן הפעולה==
[[קובץ:Solarantrieb Elektrischer Weidezaun.JPG|ממוזער|250px|הפעלה של תאים סולריים]]
כאשר גלים
==יעילות==
| |||