6G – הבדלי גרסאות

מספר מחקרים תרמו להתקדמות ניכרת לקראת 6G. קבוצה שבסיסה [[אוניברסיטת קליפורניה בסנטה ברברה|באוניברסיטת קליפורניה, סנטה ברברה]], טענה להתקדמות משמעותית בטכנולוגיה שתאפשר את פיתוח המכשירים ל-6G. בשני מאמרים שפורסמו ב- ''IEEE Electron Device Letters''.<ref>{{Cite journal|url=https://ieeexplore.ieee.org/document/8962214|title=W-Band Power Performance of SiN-Passivated N-Polar GaN Deep Recess HEMTs|last=Romanczyk|first=Brian|last2=Zheng|first2=Xun|date=March 2020|journal=IEEE Electron Device Letters|issue=3|doi=10.1109/LED.2020.2967034|volume=41|pages=349–352|issn=1558-0563|last3=Guidry|first3=Matthew|last4=Li|first4=Haoran|last5=Hatui|first5=Nirupam|last6=Wurm|first6=Christian|last7=Krishna|first7=Athith|last8=Ahmadi|first8=Elaheh|last9=Keller|first9=Stacia}}</ref><ref>{{Cite journal|url=https://ieeexplore.ieee.org/document/9036857|title=High Linearity and High Gain Performance of N-Polar GaN MIS-HEMT at 30 GHz - IEEE Journals & Magazine|doi=10.1109/LED.2020.2980841|language=en-US|access-date=2020-10-15}}</ref>