DRAM – הבדלי גרסאות

זכרון דינמי בעל גישה אקראית (DRAM) הוא סוג של זכרון עם גישה אקראית, אשר מאחסן כל [[ביט]] של מידע ב[[קבל]] נפרד בתוך [[מעגל משולב]]. מאחר שלקבלים מציאותיים יש זליגת מטען, המידע השמור בהם בעצם נאבד לאט אלא אם כן הקבל מרוענן לתקופות. בגלל דרישת רענון זו, זהו זכרון דינמי, בניגוד ל [[SRAM]] וזכרונות סטטים נוספים.

 

 

ב 1964 זוג עובדים מחברת [[IBM]] יצרו תא זכרון. בעזרת שימוש בטרנזיסטור ובדיודה, אשר הוחלפו לאחר מכן בשני טרנזיסטורים ושני נגדים, עיצוב אשר זכה לשם משל עצמו. בשנת 1965, קבוצה נוספת בחברת IBM יצרה שבב זכרון של 16 ביט מסיליקון המבוססת על המודל הקודם, אשר הורכב מ 80 טרנזיסטורים,64 נגדים וארבע דיודות. בשנת 1966 הומצא DRAM במעבדות IBM, והממציא קיבל על זה פטנט. בשנת 1968 התחילו להשתמש בקבלים.

 

[[en:DRAM]]

[[el:Μνήμη τυχαίας προσπέλασης#Τύποι μνήμης RAM]]

[[es:DRAM]]