טרנזיסטור MOSFET – הבדלי גרסאות

'''טרנזיסטור MOSFET''' ([[ראשי תיבות]] של Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) הוא [[טרנזיסטור]] בו [[שדה חשמלי]] קובע את ההולכה של [[מוליך למחצה]] ובכך את ה[[זרם חשמלי|זרם החשמלי]] הזורם דרך ה[[רכיב חשמלי|רכיב]].

 

[[קובץ:FET cross section.png|שמאל|ממוזער|250px|מבנה טרנזיסטור MOSFET]]

טרנזיסטור MOSFET הוא הטרנזיסטור הנפוץ ביותר כיום, והוא משמש בעיקר במעגלים לוגיים ספרתיים. שמו נגזר מאופן פעולתו - שדה חשמלי יוצר תעלה שבה קיים ריכוז גבוה של נושאי מטען, ולכן יכול לזרום בה זרם חשמלי. התאוריה של טרנזיטורי MOS פותחה ב[[שנות ה-30]] של [[המאה ה-20]] כפועל יוצא מ[[שפופרת ריק|שפופרת הריק]] וה[[טריודה]], אולם טכנולוגיית המוליכים למחצה לא הייתה קיימת אז. הטרנזיסטור מתפקד כ[[מקור זרם]] מבוקר - הפעלת מתח יוצרת שדה חשמלי שמאפשר זרימת זרם דרכו - וזה השימוש העיקרי שלו. ככל שאורך התעלה יהיה קטן יותר, כך תקטן התנגדות הטרנזיסטור, והוא יוכל להתמתג (לעבור ממצב של נתק למצב של העברת זרם) מהר יותר. אורך התעלה הוא לכן אחד הפרמטרים החשובים ביותר בטכנולוגיה. עם השנים, הטכנולוגיה משתכללת ומאפשרת ייצור טרנזיסטורים בעלי אורך תעלה הולך וקטן. אורך התעלה נמדד ב[[מיקרון|מיקרונים]] ומשמש לעתים קרובות לציון הרמה הטכנולוגית של ה[[מעגל משולב]]. אורכי התעלה ירדו מסדר גודל של עשרות בודדות של מיקרונים לעשרות [[ננומטר]]ים.