הבדלים בין גרסאות בדף "המכון למצב מוצק (הטכניון)"

עריכה
(קצת עריכה)
(עריכה)
* חקירת [[רקומבינציה]] של [[אקסיטון|אקסיטונים]] ופלאסמת אלקטרונים-חורים במוליכים למחצה מסוג III-V ו-II-VI
* חקר תכונות של [[נקודה קוונטית|נקודות קוונטיות]], בורות קוונטיים וסריגים הבנויים משכבות עוקבות של GaAs/AlGaAs/InGaAs ומערכות המבוססות על מצעים של InP ושכבות של InAlAs, InAs או InGaAsP בשיטות של [[ספקטרוסקופיה]] אופטית, פוטומוליכות ומדידות תובלה חשמלית; הספקטרוסופיה האופטית כוללת את תחומי הפיקו וה[[פמטושנייה]], חקר הדינמיקה של נושאי מטען מעוררים ואקסיטונים, ספקטרוסקופיה בתחום ה[[אינפרא אדום]] הבינוני של מעברים בין פסים ובין תת-פסים, [[פיזור ראמאן]], ספקטרוסקופיית ODMR וספקטרוסקופיה בשדה מגנטי.
* בעיות של [[סוליטון|סוליטונים]] בחומרים רפרקטוריים
* תובלה ורקומבינציה במוליכיםב[[מוליך למחצה|מוליכים למחצה]] אמורפיים
* פיזור ראמאן רזונטיבי בפולימריםב[[פולימר]]ים מוליכים, במוליכים למחצה ומבנים קוונטיים ממוליכים למחצה
* חקר מצביםןמצבים מעוררים אופטית וחקר התקנים אופטו-אלקטרוניים בפולימרים מוליכים
* מחקר תכונות שריג של מוליכים יוניים וגבישים מעורבים וחקירת מעבר סדר אי-סדר במוליכים למחצה בעזרת פיזור ראמאן; חקירת פגמים בגבישים בעקבות השתלת יונים והרפייתם
* חקירת פגמים ב[[גביש]]ים בעקבות השתלת יונים והרפייתם
* חקירת תכונות חשמליות ואופטיות של פולימרים מוליכים; שימוש בסקפטרוסקופיה Augur, SIMS ן-XPS לחקר כימוסורפצייה וקטליזה הטרוגנית
* חקירת תכונות חשמליות ואופטיות של פולימרים מוליכים
* יצירה, בדיקה ומחקר של שכבות יהלום דקות.
* חקירת תכונות חשמליות ואופטיות של פולימרים מוליכים; שימוש בסקפטרוסקופיה Augur, SIMS ן-XPS לחקר כימוסורפצייה וקטליזהו[[קטליזה]] הטרוגנית
* יצירה, בדיקה ומחקר של שכבות [[יהלום]] דקות.
 
===מחקר יישומי===
* שימוש בהשתלת יונים והרפיית נזקי הקרינה ליצירת מבנים חדשים מוליכים למחצה
שימוש בהשתלת יונים והרפיית נזקי הקרינה ליצירת מבנים חדשים מוליכים למחצה; השתלת יונים ביהלומים וחקירת השינויים בתכונותיהם האופטיות והחשמליות; הכנת שכבות דקות דמויות יהלום על ידי שיקוע פחמן מאלומות יונים; הכנת שכבות יהלום על ידי פירוק מולקולות הידרוקרבונריות על ידי פילמנט חם לצורכי ציפוי; הכנת שכבות דקות של מוליכים למחצה בשיטות גידול אפיטקסיאלי מהפאזה הגזית, אפיון תכונותיהם, בניית לייזרים והתקנים אופטו אלקטרוניים אחרים המתבססים עליהם; פיתוח ובניית אבטיפוסים של התקנים אלקטרואופטיים המתבססים על Si ובעיקר על גבישים מרוכבים מהקבוצות III-V ו - II-VI. חקר גלאים לאינפרא-אדום המבוססים על מעברים בין תת-פסים בבורות ונקודות קוונטיות במוליכים למחצה וכאלה המבוססים על HgCdTe.
* השתלת יונים ביהלומים וחקירת השינויים בתכונותיהם האופטיות והחשמליות
* הכנת שכבות דקות דמויות יהלום על ידי [[שיקוע]] [[פחמן]] מאלומות יונים; הכנת שכבות יהלום על ידי פירוק מולקולות [[הידרוקרבון|הידרוקרבונריות]] על ידי [[פילמנט]] חם לצורכי ציפוי
* הכנת שכבות דקות של מוליכים למחצה בשיטות גידול אפיטקסיאלי מה[[פאזה (חומר)|פאזה]] הגזית, אפיון תכונותיהם, בניית [[לייזר]]ים והתקנים אופטו אלקטרוניים אחרים המתבססים עליהם
* פיתוח ובניית אבטיפוסים של התקנים אלקטרואופטיים המתבססים על Si ובעיקר על גבישים מרוכבים מהקבוצות III-V ו-II-VI. חקר גלאים לאינפרא-אדום המבוססים על מעברים בין תת-פסים בבורות ונקודות קוונטיות במוליכים למחצה וכאלה המבוססים על HgCdTe.
 
==קישורים חיצוניים==