זיכרון הבזק – הבדלי גרסאות
תוכן שנמחק תוכן שנוסף
מ r2.6.5) (בוט מוסיף: mhr:Flash-шарныш |
מ הגהה |
||
שורה 2:
'''שבב זיכרון הֶבְזֵק''' (Flash memory) הוא [[מעגל משולב|שבב]] המאפשר כתיבה ומחיקה חוזרת על גבי השבב שמאחסן את המידע לאורך זמן ללא תלות במקור [[חשמל]] כלשהו, המחובר לשבב. זאת, בניגוד ל[[זיכרון נדיף]].
להבדיל מזיכרון [[EEPROM]], הכתיבה לזיכרון הבזק מתבצעת בבלוקים. משמעות הדבר היא שעל מנת לכתוב [[סיבית]] בודדת, יש לקרוא את כל הבלוק שמכיל את הסיבית לתוך [[זיכרון גישה אקראית]], לשנות את הסיבית שם, למחוק את תוכן הבלוק כולו בזיכרון ההבזק, ואז לכתוב את הבלוק כולו חזרה לזיכרון ההבזק. בגלל מגבלה זו לא ניתן להשתמש בזיכרון הבזק כתחליף לזיכרון גישה אקראית, אם כי השימוש בזיכרון הבזק כתחליף ל[[זיכרון לקריאה בלבד]] מקובל מאד.
גם באמצעי אכסון כמו [[דיסק קשיח|דיסקים]] הגישה לתוכן מתבצעת בבלוקים, ולכן זיכרון הבזק מתאים מאד כאבן בניין ל"דיסק מצב מוצק" ([[Solid state drive]]) שאינם דיסקים כלל, אך מדמים כלפי המחשב התנהגות דמוית דיסק, עם ביצועים טובים יותר בכמה [[סדר גודל|סדרי גודל]].
טכנולוגיות כמו [[צילום דיגיטלי|מצלמות דיגטליות]], [[נגן MP3|נגני MP3]] ומכשירי [[Disk on key]] עושות שימוש נרחב בשבבי זיכרון הבזק, בעיקר בשל היתרון שבשמירת המידע ללא מקור חשמל, גודלו הקטן ביחס לנפח, וגם בזכות העמידות הגבוהה יחסית של השבב לטלטלות בניגוד ל[[דיסק קשיח]].
שורה 10 ⟵ 12:
זיכרון ההבזק מאחסן מידע ב[[מערך (מבנה נתונים)|מערך]] של טרנזיסטורי גשר צף, הנקראים "תאים". ישנם תאי '''Single Level''' שבהם ניתן לאחסן [[סיבית]] אחת, ותאי '''Multi Level''' שבהם ניתן לאחסן יותר מכך, על ידי שימוש במספר רמות של מתחים במעגל החשמלי.
זיכרון הבזק הראשון היה מסוג [[NOR]],
זיכרון הבזק מבוסס NAND הוביל לפיתוחם של מספר פורמטי מדיה נשלפת קטנים יותר, כמו [[MMC]], [[Secure Digital]] ו-[[Memory Stick]].
| |||