RDRAM – הבדלי גרסאות

תוכן שנמחק תוכן שנוסף
הגהה, הסרת תבנית שכתוב.
Matanyabot (שיחה | תרומות)
מ בוט: שינויים קוסמטיים
שורה 1:
'''RDRAM'''‏ (Rambus DRAM) הוא סוג של [[זיכרון מחשב]] שפותח ויוצר על ידי חברת Rambus ה[[ארצות הברית|אמריקאית]]. יצרנית השבבים [[אינטל]] הייתה שותפה בניסיונות החדירה לשוק המחשבים, יחד עם הדור הראשון של סדרת ה[[מעבד|מעבדים]]ים [[פנטיום]] 4 מתוצרתה. מודולי זיכרון בטכנולוגיית ה-RDRAM נקראים RIMM‏ (RDRAM Interface Memory Module).
 
לוחות האם ל-[[PC]] שתמכו ב-RDRAM הוצגו לראשונה ב-1999. לוחות אלה תמכו בגרסת PC-800 שפעלה במהירות 400[[MHz]] ועבדה ברוחב פס של 1600 MB/S. גרסא זו הייתה מהירה באופן משמעותי מסוגי הזכרונות הנפוצים באותו זמן, SDRAM, שפעלו בתדר 133 [[MHz]] והיו בעלי רוחב פס של 1066 MB/S.
 
[[תמונהקובץ:RAMBUS-Memory.jpg|שמאל|ממוזער|400px|רכיב RDRAM שעליו רכיבי קירור Heat- Sink]]
 
חסרונותיו העיקריים של ה- RDRAM לעומת סוגי הזכרונות שהיו נפוצים לפניו הם בעכבת (Latency), פליטת חום, עלות וסיבוכיות ייצור גבוהים יותר. כמו כן, התושבת של כרטיס הזיכרון מסוג RIMM מחייבת חיבור שני כרטיסי זיכרון לסגירת מעגל חשמלי. בלוחות בעלי ארבעה חריצים, כולם חייבים להיות מאוכלסים.
שורה 9:
זמן לא רב אחרי הצגת ה-RDRAM, הופיע בשוק המחשבים האישיים ה- [[DDR SDRAM|DDR]] ובמידה רבה החליף אותו.
 
== ראו גם ==
* [[מונחים בחומרה]]
 
{{קצרמר|מחשבים}}
 
[[קטגוריה:התקני זיכרון אלקטרוניים]]