תא פוטו-וולטאי – הבדלי גרסאות

תא סולארי מודרני הוא [[דיודה|דְיוֹדַה]] שמייצרת [[זרם חשמלי]] כאשר פוגע בה אור. במקרה הפשוט ביותר, דיודה מורכבת משתי שכבות של [[מוליך למחצה|מוליכים למחצה]], לדוגמה - שתי שכבות של [[צורן|סיליקון]] [[אילוח (מוליכים למחצה)|מאולח]]. שכבה אחת מכילה אילוח [[מוליך למחצה מסוג n|מסוג n]] (חומרים מימין לסיליקון ב[[הטבלה המחזורית|טבלה המחזורית]], שנוטה לתת את האלקטרונים העודפים). לעומתה, השכבה השנייה מכילה אילוח [[מוליך למחצה מסוג p|מסוג p]], כלומר חומרים משמאל לסיליקון בטבלה המחזורית, שהם בעלי פחות אלקטרונים מאשר הסיליקון עצמו ונוטים לקחת אלקטרונים מאטומים אחרים, תוך יצירת [[חור אלקטרוני]] באטום הסיליקון ממנו באו. חיבור מוליך למחצה מסוג n ומסוג p יוצר [[צומת PN]], שבו [[שדה חשמלי]] בין האזורים שעזבו האלקטרונים ובאזורים שהתמלאו בהם החורים. שדה זה מהווה את המפתח לפעולת התא הסולארי.

# חד -גביש ב[[בשיטת|שיטת צ'וֹחְרָלְסְקִי]] (Czochralski) - הסיליקון גדל בתור [[גביש]] יחיד גדול. לאחר מכן, פורסים את הגביש לפרוסות דקיקות. שיטה זו היא היקרה ביותר אך התא הפוטו-וולטאי שנוצר בשיטה זו הוא בעל ה[[נצילות]] הגדולה ביותר.

# שיטת המריחה - בשיטה זאת מורחים את הסיליקון על תבנית [[זכוכית]]. זוהי הזולה ביותר מבין השיטות, אך גם נצילות התאים הנוצרים היא הנמוכה ביותר.