תא פוטו-וולטאי – הבדלי גרסאות
תוכן שנמחק תוכן שנוסף
אין תקציר עריכה |
MordechaiLando (שיחה | תרומות) מ קישורים פנימיים |
||
שורה 16:
שלוש שיטות נפוצות להכנת התאים הן:
# [[סיליקון חד-גבישי|חד-גביש]] ב[[בשיטת|שיטת צ'וֹחְרָלְסְקִי]] (Czochralski) - הסיליקון גדל בתור [[גביש]] יחיד גדול. לאחר מכן, פורסים את הגביש לפרוסות דקיקות. שיטה זו היא היקרה ביותר אך התא הפוטו-וולטאי שנוצר בשיטה זו הוא בעל ה[[נצילות]] הגדולה ביותר.
# שיטת הפולי-סיליקון - בשיטה זו מגדלים שכבה של הרבה תת-גבישים כלומר חומר [[רב-גביש]] שבו כל תת-גביש מתפקד כתא. השיטה זולה משיטת צוחרלסקי, והיא נפוצה יחסית אך נצילות התאים נמוכה יותר.
# שיטת המריחה - בשיטה זאת מורחים את הסיליקון על תבנית [[זכוכית]]. זוהי הזולה ביותר מבין השיטות, אך גם נצילות התאים הנוצרים היא הנמוכה ביותר.
| |||