הבדלים בין גרסאות בדף "המכון למצב מוצק (הטכניון)"

מ
אין תקציר עריכה
מ
 
==פעילות המחקר במכון==
פעילות המחקר במכון נחלקת למחקרים שהם בסיסיים בעיקרם, למחקרי גישוש יישומיים ולמחקרים הסובבים סביב יישום חומרים [[מוליך למחצה|מוליכים למחצה]] וייצור אבטיפוס של התקנים אלקטרוניים ו[[אלקטרואופטיקה|אלקטרואופטיים]]. מעבדות השירות תומכות במחקר על ידי מתן שירותים לחוקרי הטכניון ולמשתמשי חוץ, תוך ניצול הציוד הייחודי הקיים במכון: מעבדת [[פני שטח]], מעבדת השתלת [[יון|יונים]] ומעבדת [[קרני רנטגן]].
 
===מחקר בסיסי===
* חקירת [[רקומבינציה (אלקטרונים)|רקומבינציה]] של [[אקסיטון|אקסיטונים]] ופלאסמת אלקטרונים-חורים במוליכיםב[[מוליך למחצה|מוליכים למחצה]] מסוג III-V ו-II-VI
* חקר תכונות של [[נקודה קוונטית|נקודות קוונטיות]], בורות קוונטיים וסריגים הבנויים משכבות עוקבות של GaAs/AlGaAs/InGaAs ומערכות המבוססות על מצעים של InP ושכבות של InAlAs, InAs או InGaAsP בשיטות של [[ספקטרוסקופיה]] אופטית, פוטומוליכות ומדידות תובלה חשמלית; הספקטרוסופיה האופטית כוללת את תחומי הפיקו וה[[פמטושנייה]], חקר הדינמיקה של נושאי מטען מעוררים ואקסיטונים, ספקטרוסקופיה בתחום ה[[אינפרא אדום]] הבינוני של מעברים בין פסים ובין תת-פסים, [[פיזור ראמאן]], ספקטרוסקופיית ODMR וספקטרוסקופיה בשדה מגנטי.
* בעיות של [[סוליטון|סוליטונים]] בחומרים רפרקטוריים
 
{{קצרמר|מדעים}}
[[קטגוריה:ויקיפדיה: ערכים של משתמשים חדשים|09 2010]]
[[קטגוריה:הטכניון]]