ממריסטור – הבדלי גרסאות

התרשים מצד שמאל מתאר ממריסטור נשלט-מטען ובעל מתח סף, שעובר דרכו זרם חילופין. כאשר מתקיים זרם חשמלי במערכת, אחד האזורים – המסומם (doped) או הלא מסומם (non-doped) – יגדל, בתלות בכיוון ממנו זורם הזרם. אפיון המתח/זרם של הממריסטור הוא [[היסטרזיס]], כאשר בראשית הצירים מתקבלת רק הנקודה (0,0). בהיסטרזיס לא מתקיימת תגובה של X אחד ל-Y אחד, אלא שני Y ל-X אחד. כאשר [[מתח חשמלי|המתח]] המופעל על הרכיב גדול ממתח סף כלשהו, אזי הממריסטור מגיע להתנגדות מקסימלית/מינימלית (רוויה) ומתפקד באופן זמני כ[[נגד]] רגיל. כאשר המתח חוזר לטווח המתאים, הממריסטור חוזר להתאפיין כהיסטרזיס. לממריסטורים יש זיכרון, הווה אומר, הם זוכרים את הזרם שעבר בהם בעבר. גם כאשר הפסיק לעבור בהם זרם, הם מתנגדים בהתאם לזרם ההיסטורי. ההתנגדויות הקיצוניות של הממריסטור מכונות '''Ron''' כאשר ההתנגדות נמוכה ו-'''Roff''' כאשר ההתנגדות גבוהה.<ref name{{הערה|שם="הערה מספר 20170823054853:0">|{{קישור כללי|כתובת=http://waset.org/publications/1519/memristor-the-missing-circuit-element-and-its-application|הכותב=|כותרת=מאמר מדעי ממריסטור הרכיב החשמלי החסר ושימושיו|אתר=|תאריך=}}</ref><ref name}}{{הערה|שם="הערה מספר 20170823054853:1">|{{קישור כללי|כתובת=http://ieeexplore.ieee.org/stamp/stamp.jsp?arnumber=6895258|הכותב=|כותרת=MAGIC|אתר=|תאריך=}}</ref>}}

ב-2008 פירסמו חוקרים מחברת [[HP]], בראשותו של סטן ויליאמס, מאמר במגזין [[נייצ'ר]],{{הערה|{{קישור כללי|הכותב=Dmitri B. Strukov, Gregory S. Snider, Duncan R. Stewart & R. Stanley Williams|כותרת=The missing memristor found|כתובת=http://www.nature.com/nature/journal/v453/n7191/full/nature06932.html|תאריך=1 May 2008|מידע נוסף=Nature 453|שפה=אנגלית}}}} בו טענו כי גילו את הרכיב החסר. המאמר תיאר כיצד התקן תחמוצת [[טיטניום]] שהם ייצרו, מגלה תכונות "ממריסטיביות". נציגים של חברת HP ציינו שעד סוף 2013 ניתן לצפות להשקה של רכיב ממריסטור כהתקן בשיווק מסחרי. אולם הערכות עדכניות יותר של HP מ-[[2013]]{{הערה|{{קישור כללי|הכותב=Chris Mellor|כותרת=HP 100TB Memristor drives by 2018 – if you're lucky, admits tech titan|כתובת=http://www.theregister.co.uk/2013/11/01/hp_memristor_2018|תאריך=1 Nov 2013|מידע נוסף=The Register|שפה=אנגלית|ציטוט=HP has warned El Reg not to get its hopes up too high after the tech titan's CTO Martin Fink suggested StoreServ arrays could be packed with 100TB Memristor drives come 2018}}}} לא צופות שימוש בטכנולוגיה זו לפני 2018. בין שימושיו האפשריים של הממריסטור נמצאים [[תא זכרון בינארי|תאי זכרון]] {{אנ|Memory cell (binary)}}, מעגלים חשמליים בתחום [[תדר רדיו]] (RF components), מעגלים ניורומורפיים המחקים את פעולת ה[[מוח]] האנושי וביצוע תהליכי [[לוגיקה]].<ref>{{הערה|{{קישור כללי|כתובת=http://webee.technion.ac.il/people/skva/Nanoarch%202016%20-%20Rotem%20&%20Shahar%20Final.pdf|הכותב=|כותרת=מאמר מדעי|אתר=|תאריך=}}</ref>}}