ממריסטור – הבדלי גרסאות

נוספו 66 בתים ,  לפני 5 שנים
מ
הסבת תג ref לתבנית:הערה (תג) (דיון)
מ (תיקון nowiki)
מ (הסבת תג ref לתבנית:הערה (תג) (דיון))
===תכונות זרם ומתח===
[[קובץ:Charge controlled memristor with tresh hold.jpg|ממוזער|אופיין מתח זרם של ממריסטור נשלט מטען ובעל מתח סף בזרם חילופין]]
התרשים מצד שמאל מתאר ממריסטור נשלט-מטען ובעל מתח סף, שעובר דרכו זרם חילופין. כאשר מתקיים זרם חשמלי במערכת, אחד האזורים – המסומם (doped) או הלא מסומם (non-doped) – יגדל, בתלות בכיוון ממנו זורם הזרם. אפיון המתח/זרם של הממריסטור הוא [[היסטרזיס]], כאשר בראשית הצירים מתקבלת רק הנקודה (0,0). בהיסטרזיס לא מתקיימת תגובה של X אחד ל-Y אחד, אלא שני Y ל-X אחד. כאשר [[מתח חשמלי|המתח]] המופעל על הרכיב גדול ממתח סף כלשהו, אזי הממריסטור מגיע להתנגדות מקסימלית/מינימלית (רוויה) ומתפקד באופן זמני כ[[נגד]] רגיל. כאשר המתח חוזר לטווח המתאים, הממריסטור חוזר להתאפיין כהיסטרזיס. לממריסטורים יש זיכרון, הווה אומר, הם זוכרים את הזרם שעבר בהם בעבר. גם כאשר הפסיק לעבור בהם זרם, הם מתנגדים בהתאם לזרם ההיסטורי. ההתנגדויות הקיצוניות של הממריסטור מכונות '''Ron''' כאשר ההתנגדות נמוכה ו-'''Roff''' כאשר ההתנגדות גבוהה.<ref name{{הערה|שם="הערה מספר 20170823054853:0">|{{קישור כללי|כתובת=http://waset.org/publications/1519/memristor-the-missing-circuit-element-and-its-application|הכותב=|כותרת=מאמר מדעי ממריסטור הרכיב החשמלי החסר ושימושיו|אתר=|תאריך=}}</ref><ref name}}{{הערה|שם="הערה מספר 20170823054853:1">|{{קישור כללי|כתובת=http://ieeexplore.ieee.org/stamp/stamp.jsp?arnumber=6895258|הכותב=|כותרת=MAGIC|אתר=|תאריך=}}</ref>}}
 
==היסטוריה==
במונח ממריסטור השתמש לראשונה [[ברנרד וידרו]] בהקשר של [[רשת עצבית|רשתות עצביות]] ב-1960. [[לאון צ'ואה]] פרסם ב-[[1971]] את המאמר שקיבע את המונח במשמעותו המוכרת כיום.{{הערה|{{קישור כללי|הכותב=Leon O. Chua|כותרת=Memristor - The Missing Circuit Element|כתובת=http://ieeeghn.org/wiki/images/b/bd/Memristor_chua_article.pdf|תאריך=September 1971|מידע נוסף=Retrieved from IEEE Global History Network|שפה=אנגלית}}}} צ'ואה הציג את קיומו המשוער של רכיב נוסף על נגד, קבל וסליל, מטעמי סימטריה, וניתח את תכונותיו הצפויות ושימושיו האפשריים.
 
ב-2008 פירסמו חוקרים מחברת [[HP]], בראשותו של סטן ויליאמס, מאמר במגזין [[נייצ'ר]],{{הערה|{{קישור כללי|הכותב=Dmitri B. Strukov, Gregory S. Snider, Duncan R. Stewart & R. Stanley Williams|כותרת=The missing memristor found|כתובת=http://www.nature.com/nature/journal/v453/n7191/full/nature06932.html|תאריך=1 May 2008|מידע נוסף=Nature 453|שפה=אנגלית}}}} בו טענו כי גילו את הרכיב החסר. המאמר תיאר כיצד התקן תחמוצת [[טיטניום]] שהם ייצרו, מגלה תכונות "ממריסטיביות". נציגים של חברת HP ציינו שעד סוף 2013 ניתן לצפות להשקה של רכיב ממריסטור כהתקן בשיווק מסחרי. אולם הערכות עדכניות יותר של HP מ-[[2013]]{{הערה|{{קישור כללי|הכותב=Chris Mellor|כותרת=HP 100TB Memristor drives by 2018 – if you're lucky, admits tech titan|כתובת=http://www.theregister.co.uk/2013/11/01/hp_memristor_2018|תאריך=1 Nov 2013|מידע נוסף=The Register|שפה=אנגלית|ציטוט=HP has warned El Reg not to get its hopes up too high after the tech titan's CTO Martin Fink suggested StoreServ arrays could be packed with 100TB Memristor drives come 2018}}}} לא צופות שימוש בטכנולוגיה זו לפני 2018. בין שימושיו האפשריים של הממריסטור נמצאים [[תא זכרון בינארי|תאי זכרון]] {{אנ|Memory cell (binary)}}, מעגלים חשמליים בתחום [[תדר רדיו]] (RF components), מעגלים ניורומורפיים המחקים את פעולת ה[[מוח]] האנושי וביצוע תהליכי [[לוגיקה]].<ref>{{הערה|{{קישור כללי|כתובת=http://webee.technion.ac.il/people/skva/Nanoarch%202016%20-%20Rotem%20&%20Shahar%20Final.pdf|הכותב=|כותרת=מאמר מדעי|אתר=|תאריך=}}</ref>}}
 
ב-[[2012]] פרסמו הפיזיקאים פאול מויפלס ורוהיט סוני מאמר{{הערה|{{קישור כללי|הכותב=P. Meuffels, R. Soni|כותרת=Fundamental Issues and Problems in the Realization of Memristors|כתובת=http://arxiv.org/abs/1207.7319|תאריך=July 2012|מידע נוסף=arXiv:1207.7319v1 [cond-mat.mes-hall]|שפה=אנגלית}}}} בו טענו כי הטכנולוגיה של HP אינה תואמת להגדרה של ממריסטור, ולמעשה ניתן לתארה כקבל כימי, הסובל מאובדן מידע לאורך זמן. כמו כן טענו כי המאפיינים של ממריסטור אידאלי סותרים עקרונות יסוד ב[[תרמודינמיקה]] ו[[תורת האינפורמציה]] ([[עקרון לנדאואר]]). במאמר אחר{{הערה|{{קישור כללי|הכותב=M. Di Ventra , Y. V. Pershin|כותרת=On the physical properties of memristive, memcapacitive and meminductive systems|כתובת=http://iopscience.iop.org/0957-4484/24/25/255201/|תאריך=May 2013|מידע נוסף=Nanotechnology, issue 25|שפה=אנגלית}}}} נטען כי תכונות הזיכרון של הממריסטורים שמומשו דומות לתופעות זיכרון חלשות בהתקנים קיימים (שאינן רצויות), וכן כי ממריסטור אידאלי (לו ניתן היה לממשו) אמור לסבול מאבדן מידע כתוצאה מרעשים ותנודות.